答:VDMOSFET和IGBT都是电压驱动型器件,由于存在门极电容,其门极电流的波形类似于通过门极电阻向门极电容的充电过程,其峰值电流为Ip=UGE/RG。栅极电阻的大小对器件的静态和动态开关特性有很大的影响:RG增加,则开通时间、关断时间、开通损耗关断损耗增加;和位移电流减小;触发电路振荡抑止能力强,反之则作用相反。因此在...
图6为交直交单相桥式电压型逆变电路,(1)根据给出的4个IGBT栅极信号波形,画出稳态时负载电压uo波形、负载电流io波形;(2)结合波形分析电路工作过程。(14分) 相关知识点: 试题来源: 解析 开关器件与的栅极信号在一个周期内各有半周正偏,半周反偏,二者互补。 (1分) (1)第一阶段 在时, 导通,此时负载电流为...
试比较GTR、GTO、MOSFET、IGBT之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。答:见下表*请将VDMOS(或IGBT)管栅极电流波形画于图1-32中,并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。答:VDMOSFET和IGBT都是电压驱动型器件,因为存在门极电容,其门极电流的波形类似于通过门极电阻向门极电容的充电过程,其峰值电...