IGBT集电极-发射极的饱和电压检测装置专利信息由爱企查专利频道提供,IGBT集电极-发射极的饱和电压检测装置说明:本实用新型公开了一种IGBT集电极‑发射极的饱和电压检测装置,该装置的触发模块的第一输出端与放...专利查询请上爱企查
产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 是 封装/ 箱体: TO-247-3 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 1.7 V 栅极/发射极最大电压: 20 V 在25 C的连续集电极电流: 50 A Pd-功率耗散: 349 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 175 C...
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18.可选的,所述igbt集电极 ‑ 发射极的饱和电压检测装置还包括第一比较模块、反相器和充电指示模块; 19.所述第一比较模块的第一输入端接入所述设定电流的设定信号,所述第一比较模块的第二输入端与所述储能模块连接的电压获取模块电连接,所述第一比较模块的输出端与所述反向器的输入端电连接,所述反向器的输出...
IGBT集电极-发射极的饱和电压检测装置专利信息由爱企查专利频道提供,IGBT集电极-发射极的饱和电压检测装置说明:本发明公开了一种IGBT集电极‑发射极的饱和电压检测装置,该装置的触发模块的第一输出端与放电控...专利查询请上爱企查
产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 是 封装/ 箱体: TO-247-3 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 1.7 V 栅极/发射极最大电压: 20 V 在25 C的连续集电极电流: 50 A Pd-功率耗散: 349 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 175 C...