ICP-RIE（电感耦合等离子体 -反应离子刻蚀），这是将ICP与反应性离子刻蚀（RIE）的技术相结合。ICP-RIE是一种先进的技术，旨在提供高蚀刻速率、高选择性和低损伤处理。由于等离子体可以保持在低压下，因此还提供了出色的轮廓控制。ICP-RIE原理 首先，ICP-RIE系统引入特定的气体（比如SF6，CF4等），然后将射频电源（...
垂直或倾斜的刻蚀角度均有其应用的场景，垂直角度更适合高密度互连的要求，可以避免锥形角度带来的空间浪费。而锥形角度可以使填孔工艺大大降低。ICP-RIE的功率调节？如上图，改变上位机电源的功率，可以改变等离子体的密度；改变偏置电源的功率可以改变正离子轰击晶圆的能量。增大ICP-source的电源时，等离子体浓度会增大...
伯东公司 Syskey 电感耦合等离子体 -反应离子刻蚀 ICP-RIE, 载台尺寸最大 12 inch, 等向性或非等向性的刻蚀, 刻蚀均匀性 < ±5%. 由于干蚀刻比湿蚀刻具有等向性蚀刻以创建高深宽比结构的独特能力, 因此目前在印刷电路板和半导体制造制程中皆使用干法蚀刻, 且刻蚀过程是完全安全的, 对环境无危害性. 干蚀刻...
感应耦合反应离子刻蚀系统ICPRIE由射频电源感应产生等离子体,以产生各向异性蚀刻。在基本ICP-RIE蚀刻系统中,射频直接连接到用作电极的样品台,产生各向同性等离子体。ICPRIE刻蚀系统有时被称为桶型蚀刻机。 最初的ICP反应器由石英管组成,射频线圈缠绕在石英管周围,以产生等离子体,从而产生各向异性蚀刻。感应耦合反应离子...
ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500 低损伤刻蚀 由于离子能量低,离子能量分布带宽窄,因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。 高速刻蚀 对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀,光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。
1、原理：ICP刻蚀采用了电容耦合等离子体术，在加大功率的情况下生成高能离子碰撞物质表面进行刻蚀，而RIE刻蚀则是通过射频电磁场产生的等离子体与反应气体进行反应刻蚀。2、反应气体：ICP刻蚀常使用氟化物等气体作为反应气体，可以产生较高的刻蚀速率，而RIE刻蚀则会加入较大比例的惰性气体，如氩气，以稀释...
ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀系统 -SI 500 英文名称: SENTECH ICP-RIE -SI 500 总访问: 1903 国产/进口: 进口 半年访问: 117 产地/品牌: 欧洲 产品类别: 电子显微镜 型号: SENTECH ICP-RIE -SI 500 最后更新: 2024-10-22 货号: ICP-RIE -SI 500 参考报价: 立即询价 电话咨询 ...
刻蚀工艺闫锐,李亮,默江辉,崔玉兴,付兴昌(中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051)摘要:介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角的影响,得到了刻蚀速率、刻蚀后表面粗糙度及刻蚀倾角随刻蚀功率的...
1.2项目名称:ICP-RIE反应离子束干法刻蚀机 1.3预算金额:211万元 1.4最高限价:211万元 1.5采购需求:本次采购内容为ICP-RIE反应离子刻蚀机,主要用小于等于6英寸硅、氧化硅、氮化硅材料的刻蚀。 1.7交货期:合同签订后6个月内。 1.8本项目不接受进口产品投标。
RIE: 单一的射频源，无法实现适当刻蚀速率下的低损伤刻蚀，工作气压高，不利于控制刻蚀形貌，等离子体密度低，无法获得高刻蚀速率。ICP：两个独立的射频源，可以实现高速率和低损伤刻蚀，工作气压低，利于控制形貌，等离子体密度高。