Hybrid Bonding中的Hybrid是指除了在室温下凹陷下去的铜bump完成键合,两个Chip面对面的其它非导电部分也要贴合。因此,Hybrid Bonding在芯粒与芯粒或者wafer与wafer之间是没有空隙的,不需要用环氧树脂进行填充。 图4,图源十轮网 混合键合流程图:(a)试片未接合面貌(b)介电材料接合步骤(c)提高温度铜接点接合过程(d)高...
混合键合,或称为Hybrid Bonding,是一种先进的封装技术,主要用于芯片的垂直堆叠,特别是在16层及以上的高带宽内存(HBM)中。 混合键合通过硅穿孔(TSV)或微型铜线进行垂直堆叠,中间没有凸点,因此也被称为“直接键合”。与传统的热压焊接相比,混合键合可以焊接更多的芯片堆叠,维持更低的堆叠高度并提高热排放效率。 二 ...
硅光子布局，台积电正在研发COUPE（紧凑型通用光子引擎），将电子裸晶（EIC）通过SoIC-X的3D堆栈技术，堆栈在光子裸晶（PIC）上，使功耗带来巨大改进，叠起来后面积也会缩小。相较传统堆栈，这种方式能使裸晶对裸晶界面有最低电阻及更高能源效率。值得注意的是，通过SoIC-X的铜对铜（Cu-Cu）Hybrid Bonding，可实...
第一个采用这项先进封装连接技术的CPU是AMD于COMPUTEX 2021发布的3D V-Cache，就是台积电SoIC解决方案Cu/Oxide Hybrid Bonding高密度封装，将缓存内存（SRAM）堆栈于运算单元CCX （CPU Complex）上，让CPU获更多L3缓存内存容量。AMD公开数据，相较微凸块（Microbumps），3D V-Cache混合键合加上TSV，让芯片接点密度提...
混合键合,这一备受期待的高级互联技术,似乎出现了新变故。 混合键合(Hybrid Bonding),主要用于在芯片的垂直堆叠中实现互连,在2.5D和3D封装领域颇受欢迎。它最大的特点是无凸块,结合了金属键合和非导电粘合剂(通常是氧化物或聚合物)的方法,能够在微观尺度上实现芯片间的直接电连接,同时提供优异的电气性能和热管理能...
首先,我在SUSS公司的官网上找到了一个对于Hybrid Bonding技术的解释:“混合键合指的是两种金属层的热压键合与熔融键合混合进行的键合方法。该工艺过程中会同时产生一种电力(金属键合)和机械力熔融键合。”。这总技术使得不同芯片间的铜Pad可以面对面地直接在室温条件下彼此键合在一起,实现互联 ...
长江存储的Xtacking架构CMOS晶圆和Array晶圆之间的Hybrid Bonding(上图红色) 可以说,YMTC具有自主IP的Xtacking架构,几乎是对hybrid bonding工艺应用到炉火纯青的结果,这跟他们技术和量产团队,在武汉新芯期间从事3D堆叠图像传感器所积累下的工艺经验分不开的。 混合键合工艺,是指绝缘的SiO2键合和金属Cu键合互连的直接混合式...
Hybrid Bonding(HB) 通过电介质键(dielectric bond)和金属键(metal bond)形成两个晶圆(wafers)或裸片(dies)之间的互连。 常见的两种互连方式: 1、Wafer to Wafer(W2W) 晶圆对晶圆:适合高良率的芯片,如CMOS、3D NAND 2、Die to Wafer(D2W) 芯片对晶圆:适合不同种类型芯片集成,如异构集成 ...
Hybrid Bonding从最初量产便首先应用于图像传感器上,直到现在除了一些先进处理器在应用该技术外,其在图像传感器CIS(CMOS image sensors)上仍然在不断的发展,最终产品常被用于高端手机相机、数码相机和数码单反相机的堆叠背照式CMOS图像传感器(BI-CIS)。 今天,我们聊聊日本Sony发布的一种BI-CIS技术,其目的是将图像传感...
TrendForce集邦咨询指出，采用Hybrid Bonding可能导致HBM的商业模式出现变化。使用Wafer to Wafer模式堆叠，须确保HBM base die（基础裸晶）与memory die（内存裸晶）的晶粒尺寸完全一致；而前者的设计是由GPU/ASIC业者主导，因此，同时提供base die及GPU/ASIC foundry（晶圆代工）服务的TSMC（台积电）可能将担负base die...