混合键合,或称为Hybrid Bonding,是一种先进的封装技术,主要用于芯片的垂直堆叠,特别是在16层及以上的高带宽内存(HBM)中。 混合键合通过硅穿孔(TSV)或微型铜线进行垂直堆叠,中间没有凸点,因此也被称为“直接键合”。与传统的热压焊接相比,混合键合可以焊接更多的芯片堆叠,维持更低的堆叠高度并提高热排放效率。 二 ...
在Hybrid Bonding前,2D,2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点(Micro bump)来实现芯片与基板,芯片与中介层(interposer), 芯片与芯片间的电连接。Solder bump/micro bump在制备工艺中都有植球的步骤,所植的球就是焊锡球(Solder bump),所以在Hybrid Bonding之前芯片间的连接都是靠焊锡球进行连接。
Hybrid Bonding中的Hybrid是指除了在室温下凹陷下去的铜bump完成键合,两个Chip面对面的其它非导电部分也要贴合。因此,Hybrid Bonding在芯粒与芯粒或者wafer与wafer之间是没有空隙的,不需要用环氧树脂进行填充。 图4,图源十轮网 混合键合流程图:(a)试片未接合面貌(b)介电材料接合步骤(c)提高温度铜接点接合过程(d)高...
可以说,YMTC具有自主IP的Xtacking架构,几乎是对hybrid bonding工艺应用到炉火纯青的结果,这跟他们技术和量产团队,在武汉新芯期间从事3D堆叠图像传感器所积累下的工艺经验分不开的。 混合键合工艺,是指绝缘的SiO2键合和金属Cu键合互连的直接混合式键合工艺,形成Cu/绝缘层的电互连,这个过程无需硅通孔工艺(Through Silicon...
第一个采用这项先进封装连接技术的CPU是AMD于COMPUTEX 2021发布的3D V-Cache，就是台积电SoIC解决方案Cu/Oxide Hybrid Bonding高密度封装，将缓存内存（SRAM）堆栈于运算单元CCX （CPU Complex）上，让CPU获更多L3缓存内存容量。AMD公开数据，相较微凸块（Microbumps），3D V-Cache混合键合加上TSV，让芯片接点密度...
混合键合是一种先进的封装技术,有助于集成多个半导体元件以创建高密度、高性能的设备。与传统封装方法相比,混合键合可实现更高的互连密度该工艺对于 3D 集成和异构片上系统 (SoC) 应用。 目前设备产业链中的主要参与者以及使用和涉及混合键合的主要有,如台积电、英特尔、三星、SK海力士、美光、长鑫存储、索尼、豪威科...
在摩尔定律的推动下,光刻(Lithography)技术一直是半导体产业实现芯片线宽微缩的核心。然而,进入后摩尔时代,芯片设计理念发生了转变。除了微缩,芯片堆叠成为增加晶体管数量的重要手段,而键合(Bonding)技术则成为实现芯片堆叠的关键。键合技术的线宽和能耗直接决定了
混合键合(Hybrid Bonding)是半导体封装领域的新兴技术,能够实现高密度三维集成,无需传统的焊料凸点。本文探讨混合键合的基本原理、相比传统方法的优势,以及该领域的最新发展。 混合键合的基本原理 混合键合,也称为直接键合互连(DBI),结合了介电对介电键合和金属对金属键合,形成晶圆或芯片之间的互连。该过程通常包括以下...
首先,我在SUSS公司的官网上找到了一个对于Hybrid Bonding技术的解释:“混合键合指的是两种金属层的热压键合与熔融键合混合进行的键合方法。该工艺过程中会同时产生一种电力(金属键合)和机械力熔融键合。”。这总技术使得不同芯片间的铜Pad可以面对面地直接在室温条件下彼此键合在一起,实现互联 ...
先进封装之图像传感器混合键合(CMOS Hybrid Bonding) 6月29日,2023年 IGBT 产业论坛,将在昆山金陵大饭店举行。华润微电子,翠展微电子,芯能半导体,日机装株式会社,巴斯夫,比亚迪,中车,广林达,正业科,正业科技、安世半导体等企业代表将出席。报名联系张小姐:13418617872 (同微信)。