Hybrid Bonding中的Hybrid是指除了在室温下凹陷下去的铜bump完成键合,两个Chip面对面的其它非导电部分也要贴合。因此,Hybrid Bonding在芯粒与芯粒或者wafer与wafer之间是没有空隙的,不需要用环氧树脂进行填充。 图4,图源十轮网 混合键合流程图:(a)试片未接合面貌(b)介电材料接合步骤(c)提高温度铜接点接合过程(d)高...
引言 混合键合(Hybrid Bonding)是半导体封装领域的新兴技术,能够实现高密度三维集成,无需传统的焊料凸点。本文探讨混合键合的基本原理、相比传统方法的优势,以及该领域的最新发展。 混合键合的基本原理 混合键合,也称为直接键合互连(DBI),结合了介电对介电键合和金属对金属键合,形成晶圆或芯片之间的互连。该过程通常包括...
在Hybrid Bonding前,2D,2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点(Micro bump)来实现芯片与基板,芯片与中介层(interposer), 芯片与芯片间的电连接。Solder bump/micro bump在制备工艺中都有植球的步骤,所植的球就是焊锡球(Solder bump),所以在Hybrid Bonding之前芯片间的连接都是靠焊锡球进行连接。
第一个采用这项先进封装连接技术的CPU是AMD于COMPUTEX 2021发布的3D V-Cache，就是台积电SoIC解决方案Cu/Oxide Hybrid Bonding高密度封装，将缓存内存（SRAM）堆栈于运算单元CCX （CPU Complex）上，让CPU获更多L3缓存内存容量。AMD公开数据，相较微凸块（Microbumps），3D V-Cache混合键合加上TSV，让芯片接点密度...
首先,我在SUSS公司的官网上找到了一个对于Hybrid Bonding技术的解释:“混合键合指的是两种金属层的热压键合与熔融键合混合进行的键合方法。该工艺过程中会同时产生一种电力(金属键合)和机械力熔融键合。”。这总技术使得不同芯片间的铜Pad可以面对面地直接在室温条件下彼此键合在一起,实现互联 ...
到Foveros封装时,英特尔将芯片堆叠在一起,实现横向和纵向的互连,凸点间距大概是50微米。未来,英特尔将通过采用Hybrid Bonding(有两种翻译:混合键合、混合结合)技术,计划实现小于 10 微米的凸点间距。 将凸点间距缩小到小于10微米, Hybrid Bonding技术究竟是如何实现的?
第一个采用这项先进封装连接技术的CPU是AMD于COMPUTEX 2021发布的3D V-Cache,就是台积电SoIC解决方案Cu/Oxide Hybrid Bonding高密度封装,将缓存内存(SRAM)堆栈于运算单元CCX (CPU Complex)上,让CPU获更多L3缓存内存容量。 AMD公开数据,相较微凸块(Microbumps),3D V-Cache混合键合加上TSV,让芯片接点密度提升15倍,...
Hybrid Bonding从最初量产便首先应用于图像传感器上,直到现在除了一些先进处理器在应用该技术外,其在图像传感器CIS(CMOS image sensors)上仍然在不断的发展,最终产品常被用于高端手机相机、数码相机和数码单反相机的堆叠背照式CMOS图像传感器(BI-CIS)。 今天,我们聊聊日本Sony发布的一种BI-CIS技术,其目的是将图像传感...
英特尔推出Hybrid Bonding技术 推进高端封装演进 近日,英特尔对外分享了英特尔封装技术路线图。英特尔院士、封装研究与系统解决方案总监Johanna Swan分享道,从标准封装到嵌入式桥接时,凸点间距从 100 微米变为 55-36 微米。到Foveros封装时,英特尔将芯片堆叠在一起,实现横向和纵向的互连,凸点间距大概是50微米。未来,英特尔...
总而言之,Hybrid Bonding技术代表了HBM发展的新趋势,其潜在的效益和商业模式变革将对整个半导体产业产生深远影响。随着研发的深入,未来HBM的性能及其应用场景将更加丰富,也迫切需要各方在技术创新和合作上更加紧密,以迎接即将到来的市场竞争。