Hybrid Bonding中的Hybrid是指除了在室温下凹陷下去的铜bump完成键合,两个Chip面对面的其它非导电部分也要贴合。因此,Hybrid Bonding在芯粒与芯粒或者wafer与wafer之间是没有空隙的,不需要用环氧树脂进行填充。 图4,图源十轮网 混合键合流程图:(a)试片未接合面貌(b)介电材料接合步骤(c)提高温度铜接点接合过程(d)高...
引言 混合键合(Hybrid Bonding)是半导体封装领域的新兴技术,能够实现高密度三维集成,无需传统的焊料凸点。本文探讨混合键合的基本原理、相比传统方法的优势,以及该领域的最新发展。 混合键合的基本原理 混合键合,也称为直接键合互连(DBI),结合了介电对介电键合和金属对金属键合,形成晶圆或芯片之间的互连。该过程通常包括...
混合键合,或称为Hybrid Bonding,是一种先进的封装技术,主要用于芯片的垂直堆叠,特别是在16层及以上的高带宽内存(HBM)中。 混合键合通过硅穿孔(TSV)或微型铜线进行垂直堆叠,中间没有凸点,因此也被称为“直接键合”。与传统的热压焊接相比,混合键合可以焊接更多的芯片堆叠,维持更低的堆叠高度并提高热排放效率。 二 ...
长江存储的Xtacking架构CMOS晶圆和Array晶圆之间的Hybrid Bonding(上图红色) 可以说,YMTC具有自主IP的Xtacking架构,几乎是对hybrid bonding工艺应用到炉火纯青的结果,这跟他们技术和量产团队,在武汉新芯期间从事3D堆叠图像传感器所积累下的工艺经验分不开的。 混合键合工艺,是指绝缘的SiO2键合和金属Cu键合互连的直接混合式...
在Hybrid Bonding前,2D,2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点(Micro bump)来实现芯片与基板,芯片与中介层(interposer), 芯片与芯片间的电连接。Solder bump/micro bump在制备工艺中都有植球的步骤,所植的球就是焊锡球(Solder bump),所以在Hybrid Bonding之前芯片间的连接都是靠焊锡球进行连接。
首先,我在SUSS公司的官网上找到了一个对于Hybrid Bonding技术的解释:“混合键合指的是两种金属层的热压键合与熔融键合混合进行的键合方法。该工艺过程中会同时产生一种电力(金属键合)和机械力熔融键合。”。这总技术使得不同芯片间的铜Pad可以面对面地直接在室温条件下彼此键合在一起,实现互联 ...
第一个采用这项先进封装连接技术的CPU是AMD于COMPUTEX 2021发布的3D V-Cache，就是台积电SoIC解决方案Cu/Oxide Hybrid Bonding高密度封装，将缓存内存（SRAM）堆栈于运算单元CCX （CPU Complex）上，让CPU获更多L3缓存内存容量。AMD公开数据，相较微凸块（Microbumps），3D V-Cache混合键合加上TSV，让芯片接点密度...
Hybrid Bonding推进半导体封装的三维集成 混合键合（Hybrid Bonding）是半导体封装领域的新兴技术，能够实现高密度三维集成，无需传统的焊料凸点。本文探讨混合键合的基本原理、相比传统方法的优势，以及该领域的最新发展。混合键合的基本原理 混合键合，也称为直接键合互连（DBI），结合了介电对介电键合和金属对金属键合，...
TrendForce集邦咨询指出，采用Hybrid Bonding可能导致HBM的商业模式出现变化。使用Wafer to Wafer模式堆叠，须确保HBM base die（基础裸晶）与memory die（内存裸晶）的晶粒尺寸完全一致；而前者的设计是由GPU/ASIC业者主导，因此，同时提供base die及GPU/ASIC foundry（晶圆代工）服务的TSMC（台积电）可能将担负base die...
Hybrid Bonding是近几年被叫响的,在之前业界通常称其为DBI(Direct Bond Interconnect,直接键合连接),它是在20世纪80年代中期由Paul Enquist,Q.Y. Tong和Gill Fountain在三角研究所(RTI)的实验室首次构思,DBI因其优雅和简洁而成为键合大海上的明灯。他们三个后来在2000年成立了一家叫Ziptronix的公司,并于2005年实现...