HY5012的漏源电压为125V,这意味着在正常工作条件下,该器件可以承受高达125V的电压而不会损坏。 2. 连续漏极电流(Id):表示在规定的温度和栅源电压下,场效应管漏极允许通过的最大连续电流。对于HY5012而言,其连续漏极电流高达300A,确保了在大电流环境下的稳定工作。 三、物理与环境参数 1...
HY4008和HY5012是两款不同的场效应管(MOSFET),它们之间的主要区别体现在电气参数、封装形式以及可能的应用场景上。以下是对这两款产品的详细比较: 一、电气参数 参数/型号HY4008HY5012 漏源击穿电压(VDS) 80V 125V 漏极电流(ID) 200A 300A 导通电阻(RDS(on)) 2.9mΩ(典型值) 3.6mΩ(典型值,可能因具体...
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品牌:HY 型号:HY5012W 封装:TO-252 批号:22+ FET类型:联系客服 漏源电压(Vdss):125v 漏极电流(Id):联系客服 漏源导通电阻(RDS On):联系客服 栅源电压(Vgs):联系客服 栅极电荷(Qg):联系客服 反向恢复时间:联系客服 最大耗散功率:联系客服 配置类型:联系客服 工作温度范围:联系客服 安装类型:联系客服 应用...
型号 HY5012W N管 MOSFET 125V 2.9mΩ采用Trench流 深圳市汇友迪科技是华羿微-Huayi原厂指定代理商 HY5012W产品概述: N-Channel Enhancement Mode MOSFET此器件为125V、2.9m Ω、TO-247A-3L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如负载开关、电机控 制等应用领域。 低内阻 100%DVDS测试 100% UIL测试 符合RoHS...
防火密封條 HY5012 - 華源 產品 中國製造, 中國. 產品特點: 1、該產品是三元乙丙橡膠經過密煉、擠出、微波加熱一次擠壓成型等工藝製作而成,因此軟封與硬條不會產生脫離現象。 2、由於它不同于傳統的橡膠封條,故存放方便,按裝簡單快捷,減少了勞動強度,加快了工程進度,
HY5012 电子元器件 HY PDF 资料 规格书 数据手册 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价等...
企业档案 供应商品 联系企业HY5012价格 ¥ 1.00 起订数 1000个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务热门商品IR3847MTRPBF ¥ 20.00 PC48F4400P0TB0EE ¥ 20.00 WMRT130F-0 ¥ 3.00 PM39LV512-70VCE ¥ 3.00 GS2985-INE3 ¥ 20.00 NCE0102M ¥ 1.50 NCE60T2K2I ¥ 1.50...
HY5012W场效应管是一种N沟道MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点。通过将8个管子并联,可以提高整个电路的承载能力和工作效率。当驱动信号加在控制端时,电路中的每个管子都可以工作,从而实现对负载的驱动。 3. 性能优化 为了进一步优化驱动电路的性能,我们可以考虑以下几点: - 选择合适的电源电压和电流,以确保电...
HY5012W 封装TO-247 125V/300A N沟道 MOS场效应管 原装正品 HY5012W 9899 HY/华羿微电 TO-247 2023 ￥0.9000元1~-- 个 深圳市圳科科技有限公司 5年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 BSS138DW-7-F 场效应管 DIODES/美台 封装SOT-363 批号22+ ...