HY5012是一款N沟道增强型场效应管(MOSFET),主要用于开关电源、电机驱动等高效率场景。其关键参数如下: 1. 电气特性 - 漏源电压(VDS):30V(最大值,参考Vishay技术手册),适用于低压电路设计。 - 栅源电压(VGS):±20V(极限值),推荐工作范围为4.5V-10V以确保完全导通。 - 导通电阻(RDS(on)):8mΩ(VGS=10V...
HY5012场效应管是一种高性能的半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。其关键参数如下: 1. 电压参数:HY5012的击穿电压(VDS)通常为XXV,这意味着在该电压下,管子仍能正常工作而不会被击穿。同时,其栅极-源极电压(VGS)也有一定的范围,通常为正负XXV,超出此范围可能会导致管子损坏。 2...
HY5012W场效应管确实具有较大的电流承受能力。其关键技术参数如下: 1、连续漏极电流(Id):300A,这表明该场效应管能够持续通过高达300安培的电流。 2、漏源电压(Vdss):125V,这是场效应管漏极和源极之间能够承受的最大电压。 此外,该场效应管还具有其他技术特点,如封装形式为TO-247,适用于多种电子设备的功率控...
品牌:HY 型号:HY5012W 封装:TO-252 批号:22+ FET类型:联系客服 漏源电压(Vdss):125v 漏极电流(Id):联系客服 漏源导通电阻(RDS On):联系客服 栅源电压(Vgs):联系客服 栅极电荷(Qg):联系客服 反向恢复时间:联系客服 最大耗散功率:联系客服 配置类型:联系客服 工作温度范围:联系客服 安装类型:联系客服 应用...
HY5012场效应管由知名的华羿微电子股份有限公司制造,品质有保证。在电子产品中,HY5012广泛应用于开关电路、放大电路以及信号处理等方面,为各类电子设备提供了强大的性能支持。 综上所述,HY5012场效应管以其优异的性能和可靠的品质,在电子元器件市场中占据了重要的地位。无论是在消费类电子产...
HY5012W是一款N沟道增强型场效应管(MOSFET),主要应用于开关电源、电机驱动等高效率场景。其关键参数如下: 1. 耐压值(VDS):30V,表明其适用于低压电路设计(如12V/24V系统),数据参考自乐山无线电(LRC)产品手册。 2. 导通电阻(RDS(on)):典型值8mΩ(VGS=10V时),低导通电阻可减少开关损耗,提升能效。 3. 栅...
HY5012W场效应管是一种N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点。通过将8个管子并联，可以提高整个电路的承载能力和工作效率。当驱动信号加在控制端时，电路中的每个管子都可以工作，从而实现对负载的驱动。3. 性能优化 为了进一步优化驱动电路的性能，我们可以考虑以下几点：- 选择合适的电源电压和电流，以确保...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品图片 商品参数 品牌: HY/华羿微电 漏源电压(Vdss): 125V 连续漏极电流(Id): 300A 批号: 2023 封装: TO-247 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40 最大工作温度: 120 可售卖地:...
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