HY5012是一款N沟道增强型场效应管(MOSFET),主要用于开关电源、电机驱动等高效率场景。其关键参数如下: 1. 电气特性 - 漏源电压(VDS):30V(最大值,参考Vishay技术手册),适用于低压电路设计。 - 栅源电压(VGS):±20V(极限值),推荐工作范围为4.5V-10V以确保完全导通。 - 导通电阻(RDS(on)):8mΩ(VGS=10V...
2. 使用参数相近的其他型号管子替换:如果无法购买到HY5012,可以考虑使用其他参数相近的场效应管进行替换。例如,某些XX系列的场效应管在电压、电流和功率等方面与HY5012相似,可以作为潜在的替换件。在选择替换件时,务必仔细比较各项参数,确保替换后的管子能够满足电路的工作要求。 3. 联系...
HY5012W场效应管确实具有较大的电流承受能力。其关键技术参数如下: 1、连续漏极电流(Id):300A,这表明该场效应管能够持续通过高达300安培的电流。 2、漏源电压(Vdss):125V,这是场效应管漏极和源极之间能够承受的最大电压。 此外,该场效应管还具有其他技术特点,如封装形式为TO-247,适用于多种电子设备的功率控...
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HY5012是一款性能优异的场效应管,广受电子产品制造商的青睐。作为电子元器件的关键部分,HY5012在多种电子设备中发挥着重要的作用。下面将详细解析其关键参数。 二、主要技术参数 1. 工作温度范围 HY5012场效应管能够在较宽的温度范围内稳定工作。其最小工作温度可达到-50摄氏度,而最大...
HY5012W是一款N沟道增强型场效应管(MOSFET),主要应用于开关电源、电机驱动等高效率场景。其关键参数如下: 1. 耐压值(VDS):30V,表明其适用于低压电路设计(如12V/24V系统),数据参考自乐山无线电(LRC)产品手册。 2. 导通电阻(RDS(on)):典型值8mΩ(VGS=10V时),低导通电阻可减少开关损耗,提升能效。 3. 栅...
HY5012W场效应管是一种N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点。通过将8个管子并联，可以提高整个电路的承载能力和工作效率。当驱动信号加在控制端时，电路中的每个管子都可以工作，从而实现对负载的驱动。3. 性能优化 为了进一步优化驱动电路的性能，我们可以考虑以下几点：- 选择合适的电源电压和电流，以确保...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品图片 商品参数 品牌: HY/华羿微电 漏源电压(Vdss): 125V 连续漏极电流(Id): 300A 批号: 2023 封装: TO-247 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40 最大工作温度: 120 可售卖地:...
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型号 HY5012W 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可...