hv-h3trb标准 HV-H3TRB标准是一种高温高湿反偏测试的考核标准,其中H代表高温,3代表高湿,TRB代表反偏测试。该标准通常用于评估电子元器件在高温、高湿度或伴有温度湿度变化条件下的适应能力,以及在高温、高湿、偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程。 对于1200V耐压器件,HV-H3TRB考核标准中耐压通常为100V,...
H3TRB测试即高湿高温反偏压测试,它是验证半导体模块在高温高湿环境下长期稳定性的可靠性测试之一。我们知道,环境湿度会侵入模块外壳、穿过硅胶到达芯片表面和钝化层。这项测试可以验证模块在这种高湿度环境下的运行情况,检测出芯片钝化的薄弱环节。 根据IEC60068-2-67标准,模块样品在规定的温度85℃、相对湿度85%的条件...
在HV-H3TRB测试中,电压击穿通常是由于电子元器件内部的绝缘材料在高压下失去绝缘性能,导致电流突然增大,从而损坏元器件。这种失效模式通常与高温高湿环境下的电化学反应有关,例如金属腐蚀、氧化等。 二、HV-H3TRB电压击穿的影响 电压击穿是HV-H3TRB测试中的一个重要失效模式,如果元器件在测试中发生电压击穿,那么它可...
常见的DRC规则包括最小宽度和间隔要求、偏差检查以及其他规格,以避免在制造过程中出现短路、断路、材料过量或其他器件故障。 测试电压的大幅提升对于IGBT无疑是更严峻的考验,而IGBT7通过优化设计,通过了1000小时的HV-H3TRB测试,显示出对高压及潮湿环境的卓越适应能力。 此外还会产生少量的电源调制噪声,如测量的电源调制...
本文将以简体中文的方式详细介绍HV-H3TRB标准,包括其定义、主要特性、应用领域以及相关测试要求等方面的内容。 一、定义 HV-H3TRB标准是一种用于高压H3继电器板的技术规范和要求。该标准旨在确保HV-H3TRB产品能够达到一定的性能指标,并能在特定的应用环境中正常工作。 二、主要特性 HV-H3TRB是一种高压H3继电器板,...
近日,蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。 本次考核由第三方权威检测机构——广电计量进行。 蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏...
近日,蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。 本次考核由第三方权威检测机构——广电计量进行。 蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏...
继1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后,近日,国星光电开发的1200V/80mΩ SiC-MOSFET(碳化硅-场效应管)器件也成功获得了AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB (HV-H3TRB)可靠性考核,使公司成为国内少数SiC功率分立器件产品通过双重考核的厂商之一。
1.分立器件HV-H3TRB的基本原理 分立器件是指功能单一的器件,如二极管、晶体管等,不同于集成电路。HV-H3TRB的“HV”代表“高压”,而“H3TRB”则代表其具体的型号和规格。这种器件常用于高电压、大电流的场合,具有耐受高压和高温的特性。 2.分立器件HV-H3TRB的应用场景 分立器件HV-H3TRB常被应用于电力电子领域,...
半导体产业网讯:近日,清纯半导体官宣1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通过国内第三方可靠性验证,荣获全套AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB (HV-H3TRB)可靠性考核。 据悉,清纯半导体是国内首次SiC MOSFET产品能够同时通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB双重考核的公开报道。