HV-H3TRB标准是一种高温高湿反偏测试的考核标准,其中H代表高温,3代表高湿,TRB代表反偏测试。该标准通常用于评估电子元器件在高温、高湿度或伴有温度湿度变化条件下的适应能力,以及在高温、高湿、偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程。 对于1200V耐压器件,HV-H3TRB考核标准中耐压通常为100V,而在HV-H3TRB考...
1.电气参数测试:包括静态和动态特性测试、工作电压和电流测量,以及触点电阻和绝缘电阻测量等。 2.质量可靠性测试:包括振动测试、冲击测试、高温、低温和湿热环境测试等,以验证HV-H3TRB继电器板在不同环境条件下的可靠性。 3.抗干扰性能测试:包括正弦扰动电压测试、快速瞬态扰动测试和电磁辐射免疫性测试等,以验证HV-H3...
根据IEC60068-2-67标准,模块样品在规定的温度85℃、相对湿度85%的条件下测试1000小时。测试电压为阻断电压的80%,但限制在80V。限制电压是为了避免测试中的模块自发热从而导致相对湿度的降低。 其次,我们还需要介绍HV-H3TRB测试。HV-H3TRB是高压高湿高温反偏测试,它是根据市场需求和现场故障经验推出的。在测试过程...
而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了 HV-H3TRB可靠性验证,同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题,蓉矽的产品通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核,表明器件在在更为极端的应用场景中,也有优秀的稳定性和可靠性,可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率...
测试电压的大幅提升对于IGBT无疑是更严峻的考验,而IGBT7通过优化设计,通过了1000小时的HV-H3TRB测试,显示出对高压及潮湿环境的卓越适应能力。 此外还会产生少量的电源调制噪声,如测量的电源调制比(PSMR)。该PSMR是对调制到RF发射载波上的缺陷(纹波和噪声)的测量。可以使用非隔离的RF负载点调节器(PMIC中的RF PoL...
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职位要求 1. 电气/电子工程、材料学、半导体物理、半导体材料或相关专业毕业,大专及以上学历; 2. 从事半导体可靠性测试2年以上经验;功率器件(MOSFET、IGBT)行业优先考虑; 3. 熟练掌握HTRB、HTGB、H3TRB、TC、TS、LTSL、HTSL、PCsec、PCmin等测试方法; 4. 能够熟练操作焊接工艺、万用表、电源、信号发生器、示波器...
近日,蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。 本次考核由第三方权威检测机构——广电计量进行。 蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏...