在HfO2与SiO2界面处,由于材料的不同电负性,会出现电荷的分离现象。一般来说,氧化铪(HfO2)具有较高的电负性,而二氧化硅(SiO2)具有较低的电负性。这种电荷分离导致了界面处的偶极电场形成。 2.2.电场效应。 偶极电场会影响到界面处的电子结构,特别是对能带结构和电子能级的分布产生显著影响。这种影响可能导致器件的电学...
1064nm与532nm激光对电子束蒸发制备的HfO2／SiO2高反膜损伤比较
在不影响薄膜反射率的前提下,提升hfo2/al2o3/sio2紫外反射薄膜的激光损伤阈值。
研究了电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜在1 064 nm与532 nm激光辐照下的损伤行为.基频激光辐照时损伤形貌主要为节瘤缺陷喷溅留下的锥形坑.当能量密度较大时出现分层剥落;二倍频激光损伤主要是由电子缺陷引起 的平底坑,辐照脉冲能量密度稍高时也会产生吸收性缺陷引起的锥形坑,但电子缺陷的损伤阈值更低;随着辐照脉冲...