NiTi合金金相腐蚀液配比是HF:HNO3=1:3,还是HF:HNO3:H2O=1:3: 答案 根据GB/T 4334-2008,硝酸、氢氟酸实验适用于含钼奥氏体不锈钢的晶间腐蚀实验.应用温度为70摄氏度的10%硝酸和3%氢氟酸(质量分数)溶液中的腐蚀速率,同基准试样腐蚀速率的比值来判定晶间腐蚀倾向. 相关推荐 1 NiTi合金金相腐蚀液配比是HF:HNO...
原始HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物(与硅接触前)的表征:略 在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中加入硫酸,导致硝酸的解离减少,形成硝基离子。对于高硫酸浓度和低水含量,通过14n核磁共振和拉曼光谱验证了硝基离子的形成。在1400cm−1下整合二氧化氮+拉曼线强度,可以定量HFHNO3-h2so4溶液中的硝基铵离子。 在HF-HNO3-H2SO...
在准备去势方案时,HF被重量输出到-0.01g . HNO3和水的重量被转换为体积,并在化油器中测量到cc。蚀刻溶液组成的控制是通过分析制作溶液的原酸和将这些原酸调整到适当的浓度,这是任意作为第一批试剂的分析。 为了得到晶体取向的影响和可以检查蚀刻速率上的电阻率类型,沿111、110和100个平面定向的p型和n型硅的样品,...
硅片在HFHNO3H2O体系中酸腐蚀的研究 热度: 硅片在HFHNO3H2O体系中酸腐蚀的研究--硕士学位论文 热度: hf 2fhno3 2fh2o体系中硅片的腐蚀过程 热度: 相关推荐 晶体硅太阳电池及材料.75. HF/H N03/H20体系中硅片的腐蚀过程,? 安静孙铁囤 刘志刚。汪建强 苦史伟 上海交通大学物理系太阳能研究所上海200240 ’ ...
HF/HNO3/H2O体系广泛应用于微电子加工及太阳能制绒过程,硅 在此体系中的反应非常复杂而且反应速度比较难控制。本文主要研究 了硅在此体系中的反应规律,并采用一种新型添加剂NH4F用于控制 反应速度。 首先,研究了硅片在不同的温度下、不同配比的HF/HNO3酸溶液 ...
摘要 本文研究了HF、HNO3和H2O体系中硅的蚀刻动力学作为蚀刻剂组成的函数。蚀刻速率与蚀刻剂组成的三轴图显示了两种极端的行为模式。在高硝酸组成的区域,蚀刻速率仅是氢氟酸浓度的函数。在高氢氟酸组成的区域,硝酸浓度决定了蚀刻速率。后一区域的动力学行为因涉及硝酸还原
1、第二卷第三期208年3月太阳能学报ACTAENEERIESOLISSINCA,类似的29NO3MX、208硅片在H F H N 0 3 H 2O系统的腐蚀速率安静,在孙子铁元素囤积、刘志刚、汪建强苦史伟(上海交通大学物理系太阳能研究所,上海2 t m 4 0 ) 随着腐蚀反应的进行,反应分为5个阶段,在最初的5 m i n硅片的腐蚀量大,然后,反应...
Balance HF + HNO3 = H2O + NO2 + F Using the Algebraic Method Step 1: Label Each Compound With a Variable Label each compound (reactant or product) in the equation with a variable to represent the unknown coefficients. a HF + b HNO3 = c H2O + d NO2 + f F Step 2: Create a ...
HF/HNO3/H2O体系在多晶硅太阳能电池制备中占有重要的地位.以前对于硅片在HF/HNO3/H2O体系中的反应已经做了大量的研究.本文测量了富硝酸体系中不同的时刻的腐蚀速度,腐蚀溶液的温度和溶液中的氟离子浓度,从而对腐蚀反应的过程进行了相应的分析.实验结果表明腐蚀反应速度随时间的变化是腐蚀生成热、体系与外界热交换及溶液...
刻蚀体系中,HF对SiO的溶解是 限制硅片刻蚀速度的关键因素.从基本原理分析中 可知,硅片在系统中的反应是一个自催化过程,因此 需要找到一种能控制硅片刻蚀速度的方法,这也是 本文研究的目的.目前,人们已经研究出几种控制硅 片刻蚀速度的方法_1].溶液的组成、硅片表面结构、 溶液温度以及是否搅拌,是否添加表面活性剂...