原始HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物(与硅接触前)的表征:略 在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中加入硫酸,导致硝酸的解离减少,形成硝基离子。对于高硫酸浓度和低水含量,通过14n核磁共振和拉曼光谱验证了硝基离子的形成。在1400cm−1下整合二氧化氮+拉曼线强度,可以定量HFHNO3-h2so4溶液中的硝基铵离子。 在HF-HNO3-H2SO...
在准备去势方案时,HF被重量输出到-0.01g . HNO3和水的重量被转换为体积,并在化油器中测量到cc。蚀刻溶液组成的控制是通过分析制作溶液的原酸和将这些原酸调整到适当的浓度,这是任意作为第一批试剂的分析。 为了得到晶体取向的影响和可以检查蚀刻速率上的电阻率类型,沿111、110和100个平面定向的p型和n型硅的样品,...
硅片在HFHNO3H2O体系中酸腐蚀的研究--硕士学位论文 热度: hf 2fhno3 2fh2o体系中硅片的腐蚀过程 热度: 晶体硅太阳电池及材料.7 5. HF/H N03/H20体系中硅片的腐蚀过程,? 安静孙铁囤 刘志刚。汪建强 苦史伟 上海交通大学物理系太阳能研究所上海200240
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比为2比4,w (97%-H2SO4)<0.3.对于较高浓度的硫酸,H2SO4可视为稀释剂。为了研究硫酸在恒定HF和硝酸量下的影响,...
HF/HNO3/H2O体系广泛应用于微电子加工及太阳能制绒过程,硅 在此体系中的反应非常复杂而且反应速度比较难控制。本文主要研究 了硅在此体系中的反应规律,并采用一种新型添加剂NH4F用于控制 反应速度。 首先,研究了硅片在不同的温度下、不同配比的HF/HNO3酸溶液 ...
NiTi合金金相腐蚀液配比是HF:HNO3=1:3,还是HF:HNO3:H2O=1:3: 扫码下载作业帮搜索答疑一搜即得 答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 根据GB/T 4334-2008,硝酸、氢氟酸实验适用于含钼奥氏体不锈钢的晶间腐蚀实验.应用温度为70摄氏度的10%硝酸和3%氢氟酸(质量分数)溶液中的腐蚀速率,同基准试样腐蚀速率的比值来...
摘要 本文研究了HF、HNO3和H2O体系中硅的蚀刻动力学作为蚀刻剂组成的函数。蚀刻速率与蚀刻剂组成的三轴图显示了两种极端的行为模式。在高硝酸组成的区域,蚀刻速率仅是氢氟酸浓度的函数。在高氢氟酸组成的区域,硝酸浓度决定了蚀刻速率。后一区域的动力学行为因涉及硝酸还原
用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物的反应行为受到硫酸加入的显著影响。最大蚀刻速率可达4000–5000 NMS-1，HF与HNO3的比例为2比4，H2SO4浓度低于0.3。在硫酸浓度约为6mol·L-1时，蚀刻速率突然增加，与蚀刻溶液特征颜色相关。当硫酸浓度超过7mol·L-1时，反应速率降低，原因可能是高溶液...
与外部的热交换q :即Q l Q 2种水垢m晒黑OOOO芒,例如观察蕾制阀器的长口苞n船万方数据的3期安静等:硅片在HRHN0h2o系的腐蚀速率3.1随着反应时间的延长,溶液温度上升,反应时间超过5MIN 此时,溶液的温度持续下降。 2 2反应过程中氟络离子的变化2 2 1反应后溶液和K 2 S O、溶液混合后生成的沉淀反应结束后,...
HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物对晶体硅表面的整体反应性:略 硫酸浓度对二氧化氮和物种蚀刻速率和形成的影响:图5显示了硅蚀刻速率、硫酸浓度与氢氟酸和硝酸混合物每溶解硅量产生的亚硝酸盐离子量之间的相关性。物种通过增加硫酸浓度来稳定。在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中,大量的含氮化合物,如硝酸、二氧化氮、NOx+和NO...