器件在晶体结构中存在着类似于气体的大量可高速迁移电子,即二维电子气。 反馈 收藏
亲亲，很高兴为您解答哦高电子迁移率晶体管+(HEMT)测试板开增值税专用发票属于逻辑级类别HEMT（High Electron Mobility Transistor），高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶 ...
在无机半导体中，高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用二维电子气(2DEG)做为传输沟道，由于载流子在二维内受限传输能够获得较高迁移率。我们借鉴这个无机半导体能带工程的思想，在有机电子学中采用有机量子阱结构制备了HEMTs。我们采用方形势阱和三角形势阱两种方法来实现有机HEMT晶体管。利用方形量子阱结构（p-6P/VOPc/p-...
MS特指源级接地的管子结构，参考地固定为背面金属层，接口上就只有栅和漏两个，只能选择微带线结构连接...
高电子迁移率晶体管（英语：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应晶体管的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供沟道，而不像金属氧化物半导体场效应管那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元...