Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件结构与特性 1. 器件结构与工艺 通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现,PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性;但是由于材料属性和生长工艺的局限性,采用AIN完全代替Al2O3栅介质层改善器件界面特性的同时也牺牲了一部分的器...
采用MIS结构,主要是增强型结构需要在栅极上加上较高的正偏压,传统的肖特基结构在正偏压会开启导通,所以为了提高栅压的应用范围采用了MIS结构。 2.基于GOI技术的增强型AlGaN/GaN MIS-HEMT电学特性 基于GOI技术的增强型AlGaN/GaN MIS-HEMT原理主要是由于AlN成核层结构多为非晶结构,本身不具备极化效应,因此可在AlN成核...
一种新型MIS-HEMT器件结构及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种新型MIS-HEMT器件结构及其制备方法说明:本发明提供一种新型MIS‑HEMT器件结构,包括衬底,衬底的表面形成有1~2μm厚的缓冲层,缓...专利查询请上爱企查
1.一种HEMT,包括: 高电位侧区域,其适于电连接到电源的高电位; 低电位侧区域,其适于电连接到所述电源的低电位; 第一半导体区域,其设置在所述高电位侧区域和所述低电位侧区域之间; MIS结构,其包括栅电极和绝缘区域,所述栅电极面向所述第一半导体区域的表面的一部分,所述绝缘区域位于所述栅电极和所述第一半导体...
一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法 本发明公开了一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN?MISHEMT器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底,GaN缓冲层,AlN隔离层,GaN沟道层,AlGaN本征层,AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上设有源极,钝化层1,有机绝缘层PTFE,钝化层2和漏极,所述有机绝缘层PTFE和漏...
本文采用的射频磁控反应溅射技术淀积AlN介质层,并与ICP低损伤凹栅槽刻蚀技术相结合,研制成功凹栅槽MIS结构的AlGaN/GaN HEMT器件,在获得高跨导的同时,栅极漏电依然保持在很低的状态,得到了很好的器件性能。 1器件结构与工艺 AlGaN/GaN凹栅槽结构MISHEMT器件结构如图1所示,衬底材料采用蓝宝石,外延材料采用MOCVD生长方式...
1.一种具有背面场板结构的Mis-HEMT器件,包括源极(6)、漏极(5)以及异质结构,所述源极(6)与漏极(5)通过形成于异质结构中的二维电子气电连接,且所述源极(6)和漏极(5)与异质结构形成欧姆接触,所述异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层(3)和第二半导体层(2),第一半导体层(3)设置于源极(6)和漏...
整个器件结构沿层叠结构的对称线对称。 如图3a至图3e所示,本发明对称结构gan基mis-hemt器件的制备方法包括以下步骤。 步骤1、对硅(111)衬底进行加热和预处理。 该实施例中,将si(111)衬底置于mocvd反应室中进行加热和预处理。 步骤2在预处理后的硅衬底上依次外延生长al元素摩尔含量为1%～6%的n型掺杂的algan缓冲层...
本发明涉及一种对称结构GaN基MISHEMT器件及其制备方法,该器件包括,层叠于衬底上的AlGaN缓冲层,AlGaN背势垒层,GaN沟道层,AlN插入层,AlGaN势垒层以及GaN帽层构成的层叠结构,该层叠结构具有一弧形端面,沿该层叠结构的边缘环绕呈倒U型结构的漏极,沿倒U型结构的对称线设置的源极,源极具有一弧形端面,位于源极和漏极上的...
参照图1、图2和图3,本发明提供的基于p-gan和sin层的自对准栅结构ganmis-hemt器件制作步骤具体如下: 实施例1: 步骤1,gan外延片生长。 通过金属有机物化学气相沉积mocvd在衬底1上依次生长缓冲层2、未掺杂的高电阻gan层3、未掺杂algan势垒层4、未掺杂gan隔离层5及p-gan帽层6,如图3(a)所示。其中:未掺杂的高...