1MHz测试频率下,MOS结构的C-V曲线回滞量随Vmax增大而变大,这是因为随着Vmax增大,更多的沟道电子被界面态俘获,导致更大的电压漂移;然而对于100KHz测试频率下的C-V回滞曲线,以及MIS异质结构情况,曲线回滞量与Vmax相关性不大,这说明Al2O3绝缘层与氮化物势垒层界面存在较多的深能级界面态,而AlN绝缘层与势垒层界面...
外延片首先要进行表面形貌的检测，可以通过肉眼或者显微镜观察外延片表面是否发污或者平整，颜色是否正常，有无明显的位错线。通过初步形貌检测，外延片的质量还要通过以下几种测试手段加以验证：3-2-1汞探针C-V 汞探针法广泛应用于材料杂质浓度的测量，可以方便测量多层材料结构的掺杂情况。其原理是利用 19 ...
由C-V曲线可以得到势垒层厚度d=ε/C=22nm(C取V=0点电容值),二维电子气浓度 (积分从-7V积到1V)。由水银探针测试出的势垒层厚度和2-DEG浓度与该晶圆出厂时附带说明书上所给的相关参数,误差在2%以内,证明这种方法可以较为精确的测量晶圆的材料参数。 3.范德堡法霍尔测试 使用范德堡霍尔测试可以得到半导体材料...
50 V.做完栅槽刻蚀后立即进行栅金属蒸发,栅金属 郝跃等:增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT研制与特性分析 120 图1增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT结构图 采用Ni/Au(30/200 nm.制备的AlGaN/ GaNHEMT栅长为1 µm,栅宽为100 µm,源漏间距为4 µm,栅处于源漏间正中央.肖特基C -V测试结构内外环直径分别 为120和200 ...
(2b)在第二组测试图形的第一电极与第三电极之间施加偏置电压V2,并在回路中串联电流表,读取电流表的值I2,利用I-V关系计算得到第一电极与第三电极之间的电阻值: RL2=V2/I2; (2c)在第三组测试图形的第一电极与第三电极之间施加偏置电压V3,并在回路中串联电流表,读取电流表的值I3,利用I-V关系计算得到第一...
这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK,在市场上具有标志性意义,传统的氮化镓功率器件最高电压普遍停留在低压应用。进入到1200V意味着氮化镓器件在800伏电驱或其他高压应用上将发挥重要作用,同时相比于碳化硅器件,在成本上也会有更大的优势,证明未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间。
本文通过I-V法测试了器件直流特性随温度的变化关系,同时应用C-V法测量了器件电容、电导随频率、温度的变化关系,采用异质结界面态模型,通过电导法提取了器件异质结处陷阱态密度和时间常数。 2实验与测试 实验所用的器件结构为标准工艺制造。首先,在蓝宝石衬底上生长一层20nm的ALN成核层,再用MOCVD的方法生长3μm后...
这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK,在市场上具有标志性意义,传统的氮化镓功率器件最高电压普遍停留在低压应用。进入到1200V意味着氮化镓器件在800伏电驱或其他高压应用上将发挥重要作用,同时相比于碳化硅器件,在成本上也会有更大的优势,证明未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间。
HEMT器件力电耦合传感特性测试
利用图6所示的环形二极管研究了三种结构的C-V特性,与直流测试所用环形二极管不同,C-V测试中二极管没有欧姆接触外围的SiN介质区域,这是因为在交流测试中SiN介质层的寄生效应会影响测试结果。1MHz频率下测得的三种结构C-V曲线如图7(a)所示,栅绝缘层的引入使积累区电容值从约375nF/cm2降低到250nF/cm2以下,阈值电...