1MHz测试频率下,MOS结构的C-V曲线回滞量随Vmax增大而变大,这是因为随着Vmax增大,更多的沟道电子被界面态俘获,导致更大的电压漂移;然而对于100KHz测试频率下的C-V回滞曲线,以及MIS异质结构情况,曲线回滞量与Vmax相关性不大,这说明Al2O3绝缘层与氮化物势垒层界面存在较多的深能级界面态,而AlN绝缘层与势垒层界面...
外延片首先要进行表面形貌的检测，可以通过肉眼或者显微镜观察外延片表面是否发污或者平整，颜色是否正常，有无明显的位错线。通过初步形貌检测，外延片的质量还要通过以下几种测试手段加以验证：3-2-1汞探针C-V 汞探针法广泛应用于材料杂质浓度的测量，可以方便测量多层材料结构的掺杂情况。其原理是利用 19 ...
由C-V曲线可以得到势垒层厚度d=ε/C=22nm(C取V=0点电容值),二维电子气浓度 (积分从-7V积到1V)。由水银探针测试出的势垒层厚度和2-DEG浓度与该晶圆出厂时附带说明书上所给的相关参数,误差在2%以内,证明这种方法可以较为精确的测量晶圆的材料参数。 3.范德堡法霍尔测试 使用范德堡霍尔测试可以得到半导体材料...
基于ISE的AlGaN／GaN HEMT的C-V转移特性模拟 维普资讯 http://www.cqvip.com
c. 光隔离探头TIVP1、高压无源探头TPP0850与PCB连接时采用专用测试座,尽量减少了引入测量回路的电感,同时还确保了测量的重复性 以TO-252测试板为例,我们可以看到其上的各功能模块 下管器件:量芯微的1200伏氮化镓器件GPIHV15DK 上管器件:TO-252封装的1200伏碳化硅二极管 ...
Photoreflectance (PR) spectroscopy and capacitance-voltage (C-V) measurements are used to characterize the surface damage caused by BCl<SUB>3</SUB>/Ar plasma in barrier layer of GaInP/GaInAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMT). When the BCl<SUB>3</SUB>/Ar flow ratio...
50 V.做完栅槽刻蚀后立即进行栅金属蒸发,栅金属 郝跃等:增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT研制与特性分析 120 图1增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT结构图 采用Ni/Au(30/200 nm.制备的AlGaN/ GaNHEMT栅长为1 µm,栅宽为100 µm,源漏间距为4 µm,栅处于源漏间正中央.肖特基C -V测试结构内外环直径分别 为120和200 ...
图8给出了两种MIS栅结构的变频C-V曲线,测试频率从10KHz变化到1MHz,两种结构的阈值电压都没有表现出明显的频散,说明异质结界面、势垒层材料、绝缘层/氮化物界面、以及绝缘层材料中电子陷阱很少。在NH3/N2等离子体界面预处理的MIS结构中,栅偏压为-4V时观察到电容有继续下降的趋势,这是由GaN沟道层的耗尽作用引起的。
本文通过I-V法测试了器件直流特性随温度的变化关系,同时应用C-V法测量了器件电容、电导随频率、温度的变化关系,采用异质结界面态模型,通过电导法提取了器件异质结处陷阱态密度和时间常数。 2实验与测试 实验所用的器件结构为标准工艺制造。首先,在蓝宝石衬底上生长一层20nm的ALN成核层,再用MOCVD的方法生长3μm后...
1.表面态测试及计算原理 当器件外加电场V改变时,半导体表面势也发生改变,则表面处费米能级EF的位置也发生移动,导致表面态填充情况改变。表面态的充放电产生电容效应,因此对器件进行不同频率下的C-V测试,并将测试结果根据模型进行计算便可得到器件表面态密度D。对表面态计算研究的初期,一般采用MOS结构等效的纯电容模...