1MHz测试频率下,MOS结构的C-V曲线回滞量随Vmax增大而变大,这是因为随着Vmax增大,更多的沟道电子被界面态俘获,导致更大的电压漂移;然而对于100KHz测试频率下的C-V回滞曲线,以及MIS异质结构情况,曲线回滞量与Vmax相关性不大,这说明Al2O3绝缘层与氮化物势垒层界面存在较多的深能级界面态,而AlN绝缘层与势垒层界面陷阱密度特别低。图6(b)所
外延片首先要进行表面形貌的检测，可以通过肉眼或者显微镜观察外延片表面是否发污或者平整，颜色是否正常，有无明显的位错线。通过初步形貌检测，外延片的质量还要通过以下几种测试手段加以验证：3-2-1汞探针C-V 汞探针法广泛应用于材料杂质浓度的测量，可以方便测量多层材料结构的掺杂情况。其原理是利用 19 ...
由C-V曲线可以得到势垒层厚度d=ε/C=22nm(C取V=0点电容值),二维电子气浓度 (积分从-7V积到1V)。由水银探针测试出的势垒层厚度和2-DEG浓度与该晶圆出厂时附带说明书上所给的相关参数,误差在2%以内,证明这种方法可以较为精确的测量晶圆的材料参数。 3.范德堡法霍尔测试 使用范德堡霍尔测试可以得到半导体材料...
基于ISE的AlGaN／GaN HEMT的C-V转移特性模拟 维普资讯 http://www.cqvip.com
这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK,在市场上具有标志性意义,传统的氮化镓功率器件最高电压普遍停留在低压应用。进入到1200V意味着氮化镓器件在800伏电驱或其他高压应用上将发挥重要作用,同时相比于碳化硅器件,在成本上也会有更大的优势,证明未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间。
这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK,在市场上具有标志性意义,传统的氮化镓功率器件最高电压普遍停留在低压应用。进入到1200V意味着氮化镓器件在800伏电驱或其他高压应用上将发挥重要作用,同时相比于碳化硅器件,在成本上也会有更大的优势,证明未来高压氮化镓器件在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间。
本文通过I-V法测试了器件直流特性随温度的变化关系,同时应用C-V法测量了器件电容、电导随频率、温度的变化关系,采用异质结界面态模型,通过电导法提取了器件异质结处陷阱态密度和时间常数。 2实验与测试 实验所用的器件结构为标准工艺制造。首先,在蓝宝石衬底上生长一层20nm的ALN成核层,再用MOCVD的方法生长3μm后...
c. 光隔离探头TIVP1、高压无源探头TPP0850与PCB连接时采用专用测试座,尽量减少了引入测量回路的电感,同时还确保了测量的重复性 以TO-252测试板为例,我们可以看到其上的各功能模块 下管器件:量芯微的1200伏氮化镓器件GPIHV15DK 上管器件:TO-252封装的1200伏碳化硅二极管 ...
50 V.做完栅槽刻蚀后立即进行栅金属蒸发,栅金属 郝跃等:增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT研制与特性分析 120 图1增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT结构图 采用Ni/Au(30/200 nm.制备的AlGaN/ GaNHEMT栅长为1 µm,栅宽为100 µm,源漏间距为4 µm,栅处于源漏间正中央.肖特基C -V测试结构内外环直径分别 为120和200 ...
研究团队基于Debye-Callaway模型,系统分析了C与Fe掺杂对GaN热导率的影响规律。结果表明,相同浓度下,C掺杂对热导率的负面影响仅为Fe的1/5。 图1 氮化镓缓冲器的热导率与掺杂浓度的函数关系,GaN buffer层厚度为 1 μm。虚线为 Debye-...