HEMT器件是一种高性能的半导体器件,广泛应用于高频、高功率电子器件中。在实际应用中,HEMT器件常常需要在高压条件下工作,因此其耐压能力是一个非常重要的性能指标。通过耐压仿真,可以预测器件在高压条件下的性能表现,优化器件结构,提高器件的耐压能力,从而提高器件的可靠性和稳定性。 二、HEMT器件耐压仿真需要关注的方面 ...
新型增强型HEMT器件结构仿真研究 摘要 摘要 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具有耐击穿、功率密度高、耐高温及抗辐照等特性，因而在高频、高温、大功率领域有着巨大的应用前景。常规AlGaN/GaN HEMT 均为耗尽型器件，但是在数字电路等领域人们往往需要增强型HEMT器件。现有已数种实现增强型器件的方法，本文将结合...
用Sentaurus TCAD 软件进行 InP 基 InGaAs/InAlAs 材料 HEMT 器件的仿真,主要研究分析了其直流特性和交流特性,结 果显示该模型能够很好的对目标器件进行特性上的仿真。 本论文所建工程中,器件上层为高掺杂帽层,以减小接触电 阻。中间为 T 型栅,其次为 12nm 厚 InAlAs 厚势垒层,再加上 Si 材料 delt 掺杂层,...
gan hemt器件建模和仿真 热度: 摘要 I 摘要 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料,其所具有的高电子饱和速度、高 耐压性、抗辐照、耐高温等特点,弥补了传统硅材料和砷化镓材料在大功率密度、高 温、高频应用领域中的不足。同时,GaN材料所具备的优越的功率品质因数,使得 ...
GaNHEMT器件测试与仿真研究英文题目:THERESEARCHONTESTANDSIMULATIONOFGANHEMTDEVICES论文作者:**芳学科专业:电子科学与技术研究方向:半导体器件申请学位:工学硕士指导教师:**玲教授所在单位:信息学部微电子学院答辩日期:2017年5月授予学位单位:北京工业大学独创性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究...
algangan hemt器件的特性仿真研究 word格式.docx,摘要宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)是近年来迅速发展起来的第三代新型半导体 材料。与第一、二代半导体材料相比,GaN 基器件耐高温、高压、高频、大功率 等独特特性彰显了它在电子领域所具有的应用潜力。然而,GaN 基 HEMT
中文图书分类号:TN385密密级:公开UDC:38学学校代码:10005硕硕士学位论文MASTERALDISSERTATION论论文题目:GaNHEMT器件测试与仿真研究论论文作者:陈艳芳学学科:电子科学与技术指指导教师:郭伟玲教授期论文提交日期:017年年4月
本论文正是基于上述的目的,开展了两方面的工作优化器件结构:一方面对器件势垒层进行了优化设计与仿真,提高微波HEMT的直流特性和频率特性,另一方面对器件的缓冲层进行了优化设计与仿真,改善电力开关HEMT的关断特性,抑制了开态电流的溢出效应。使用Silvaco ATLAS仿真软件研究了势垒层掺杂对器件的I-V特性、转移特性和频率...
gan hemt 器件封装热特性仿真分析 the simulation analysis of the packaged gan hemt device’s thermal characteristic 302 Vol.30,No.2 20164 JournalofHeilongjiangInstituteofTechnology Apr.,2016 GaNHEMT 1 1 2 1 3 1 1 ,,, (1., 154007;2., 154007;3., 154007) :GaNHEMT。 GaNHEMT , ,,。 GaN...
-4669 年:2017 卷:000 期:010 页码:135-135 页数:1 正文语种:chi 关键词:InP;HEMT;流体力学模型;特性仿真 摘要:高电子迁移率晶体管( HEMT)噪声低、电子迁移率高、功耗低、增益 高其作为高频半导体器件的一种,对其的研究早已成为热门,并且已取得很好 的进展,被视为极其有竞争力的能实际应用的高频半导体器件...