硅内插器(2.5D)是目前的首选技术。潜在的低成本、精细间距互连晶圆级和基于衬底的技术正在出现 为了推动更广泛地采用HBM应用(冷却受限)和更高性能的堆叠(8-Hi),需要支持更高的HBM温度(>95C)
这些技术充分利用了该公司在芯片互连布线方面的深厚能力,利用几种前端晶圆处理设备技术来增强构建HBM堆栈所需的后端封装步骤。该公司预计其HBM封装收入将在2024财年增长达到6倍,收入增长到6亿美元以上。 广泛的封装组合 如前所述,HBM需要大约19个增量材料工程步骤。在晶圆的正面,需要10个HBM步骤来创建正面互连柱和TSV,...
HBM通过使用3D堆叠技术,将多个DRAM(动态随机存取存储器)芯片堆叠在一起,并通过硅通孔(TSV,Through-Silicon Via)进行连接,从而实现高带宽和低功耗的特点。HBM的应用中,CowoS(Chip on Wafer on Substrate)封装技术是其中一个关键的实现手段。 CowoS封装中的HBM技术难度体现如下: 1、3D堆叠及TSV技术的挑战 堆叠精度:...
综合韩媒 The Elec 和 ETNews 报道,三星电子先进封装团队高管 Dae Woo Kim 在 2024 年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用 16 层混合键合 HBM 内存技术验证。 Dae Woo Kim 表示,三星电子成功制造了基于混合键合技术的 16 层堆叠 HBM3 内存,该内存样品工作正常,未来 16 层堆叠混合键合技术将用于 HB...
Low-α球形硅微粉及球形氧 化铝兼具强度高、散热性能好、α粒子含量低等特点,为 HBM 封装材料中必不 可少的关键材料。 Low-α球铝/球硅占 GMC 重量的 80%-90%左右。目前球形氧化铝的需求与芯片 的性能要求成正比,芯片性能要求越高,掺混的球形氧化铝越多,球铝与球硅的 总重量占 GMC 重量的 80%-90%左右...
SK 海力士目前的HBM 产品主要采用MR-MUF 封装技术，具有低压、低温键合和批量热处理的优势，在生产效率和可靠性优于TC-NCF 制程。此外，具有高热导特性的Gap-Fill 材料（填充空隙的材料）和高密度金属凸块（在垂直堆叠HBM DRAM时起连接电路作用的微小鼓包型材料）的形成，散热可比TC-NCF 制程有36% 性能优势。但是...
1、海力士：突破先进封装技术的制高点 海力士作为全球领先的封装厂商，在HBM技术领域取得了显著的突破。其最新一代封装技术——HBM3在传输速度、存储容量和能耗方面都实现了大幅提升。HBM3技术具备出色的数据处理能力，能够满足日益增长的数据需求。同时，海力士还在制程工艺方面进行了创新，提高了芯片的制造效率和可靠性。...
2024年11月6日,甬矽半导体(宁波)有限公司成功获得了名为“2.5DHBM封装结构和2.5DHBM封装方法”的专利,标志着该公司在半导体封装领域的进一步突破。这项专利的授权公告号为CN118448395B,申请日期为2024年7月,尽显甬矽半导体在技术创新方面的强大实力。 一、2.5DHBM封装技术概述 ...
这还没完，芯片这东西啊，不光是制程工艺，还有关键技术呢。HBM 存储和 CoWoS 封装技术，这俩就像芯片的左膀右臂。HBM 存储是啥？那是 AI 芯片高性能计算必备的存储技术，就像人的大脑，数据传输速率得快，不然芯片算力再强也是白搭。咱国内大部分企业推出的 AI 芯片还得靠台积电代工，存储这块儿自主研发基本为零...
HBM的技术难点主要体现在封装工艺上,这当中,TSV(硅通孔)是实现容量和带宽扩展的核心,在HBM的3D封装成本中占比最高,接近30%,而TSV通常又会涉及到通孔蚀刻、填充、绝缘以及减薄等工艺流程,并且对电镀材料有较高要求。目前主要国内两大刻蚀设备厂家北方华创和中微公司均深耕2.5D和3D封装等领域的TSV工艺。