中华人民共和国国家军用标准半导体分立器件试验方法T est methodsFor semicondctor discrete devices GJB128A-97 代替G JB 128-861 范围1.1 主题内容本标准规定了半导体分立器件以下简称器件的通用试验方法包括军用条件下抗损害能力的基本环境试验机械性能试验和电特性测试1.2 适用范围 本标准适用于军用半导体分立器件1.3 应...
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1 目的 本测试方法目的是在规定电压、电流和脉冲持续时间的条件下进行MOSFET器件热阻测试。使用源漏间二极管正向压降的温度敏感性作为结温指征。本方法更适用于具有相对较长的热响应时间的增强型功率场效应器件。…
方法4023.2 示踪设备图像*11 目的本测试方法的目的是定义在曲线示踪设备 *2上观察整流、开关和齐纳二极管的动态反向特性的检验判据。本判据不适用于特定的整流设计(例如半导体器件不进入雪崩击穿状态)或产品详细…
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中华人民共和国国家军用标准GJB18-8日半导体分立器件试验方法1986-05-08发布1986-11-01实施国防科学技术工业委员会批准
因此，为了规范半导体分立器件的筛选工作，提高器件的质量和可靠性，军事部门制定了GJB128A-97标准。二、筛选原则GJB128A-97标准规定了半导体分立器件筛选的基本原则，包括以下几点：1. 筛选应全面、客观、科学，确保筛选结果的准确性和可靠性。2. 筛选应针对不同的器件类型和应用领域，制定相应的筛选方案。3. 筛选应...
发货地 广东广州 商品类型 电子元器件 、 实验器材/测试器材/开发工具 、 电子实验/科学实验器材 商品关键词 GJB128、 MIL、 STD、 750、 封装形式的分立器件、 电容器、 二极管、 三极管 商品图片 商品参数 品牌: 泰络TELO 封装: 封装 试验电源: 1-1500V 四组 电压检测范围: 0-1500V 测...
实现功能描述:高速光电开高低温测试系统测试原理符合《GJB 128半导体分立器件试验方法》、《GJB 33A-97半导体分立器件总规范》、《SJ/Z 9014 半导体器件 分立器件》、《SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法》、《GJB 8120-2013 半导体光电模块通用规范》等相应的国家标准、国家军用标准。
GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。