1 目的 本测试方法目的是在规定电压、电流和脉冲持续时间的条件下进行MOSFET器件热阻测试。使用源漏间二极管正向压降的温度敏感性作为结温指征。本方法更适用于具有相对较长的热响应时间的增强型功率场效应器件。…
本公司生产销售高温老炼系统 老炼系统,提供高温老炼系统专业参数,高温老炼系统价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.高温老炼系统 高温老炼系统 品牌泰络TELO|产地广东|价格9999.00元|型号TL-HW02|电压检测范围0-1500V|试验电源1-1500V 四组|操作系统WIN10/11|测试系
(本处应翻译为小于等于,GJB-128B翻译为大于等于是不正确的) 增加试验条件F倒装芯片的键合剪切力、试验条件G梁氏引线的推开试验、试验条件H梁氏引线的拉开试验。 失效种类使用数字代码代替字母,修正了内引线键合文字错误。 失效种类删除内引线焊片失效种类。 失效种类增加了外部键合、倒装芯片和梁氏引线器件的失效模式。
内容提示: 中华人民共和国国家军用标准半导体分立器件试验方法T est methodsFor semicondctor discrete devices GJB128A-97 代替G JB 128-861 范围1.1 主题内容本标准规定了半导体分立器件以下简称器件的通用试验方法包括军用条件下抗损害能力的基本环境试验机械性能试验和电特性测试1.2 适用范围 本标准适... 文档格式...
发货地 广东广州 商品类型 电子元器件 、 实验器材/测试器材/开发工具 、 电子实验/科学实验器材 商品关键词 GJB128、 MIL、 STD、 750、 封装形式的分立器件、 电容器、 二极管、 三极管 商品图片 商品参数 品牌: 泰络TELO 封装: 封装 试验电源: 1-1500V 四组 电压检测范围: 0-1500V 测...
GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。
中华人民共和国国家军用标准GJB18-8日半导体分立器件试验方法1986-05-08发布1986-11-01实施国防科学技术工业委员会批准
gjb128 半导体分立器件试验方法 半导体分立器件试验方法是半导体行业中非常重要的一部分,其主要目的是检查器件的性能是否符合设计要求。进行半导体分立器件试验的主要目的是确认器件所具备的电气性能,包括各种参数的测量,如电压,电流,功率等基本参数。在半导体分立器件试验中应该注意以下几点: 1. 熟悉指标 在进行半导体分立...
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因此，为了规范半导体分立器件的筛选工作，提高器件的质量和可靠性，军事部门制定了GJB128A-97标准。二、筛选原则GJB128A-97标准规定了半导体分立器件筛选的基本原则，包括以下几点：1. 筛选应全面、客观、科学，确保筛选结果的准确性和可靠性。2. 筛选应针对不同的器件类型和应用领域，制定相应的筛选方案。3. 筛选应...