内容提示: 中华人民共和国国家军用标准半导体分立器件试验方法T est methodsFor semicondctor discrete devices GJB128A-97 代替G JB 128-861 范围1.1 主题内容本标准规定了半导体分立器件以下简称器件的通用试验方法包括军用条件下抗损害能力的基本环境试验机械性能试验和电特性测试1.2 适用范围 本标准适... 文档格式...
本公司生产销售高温老炼系统 老炼系统,提供高温老炼系统专业参数,高温老炼系统价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.高温老炼系统 高温老炼系统 品牌泰络TELO|产地广东|价格9999.00元|型号TL-HW02|电压检测范围0-1500V|试验电源1-1500V 四组|操作系统WIN10/11|测试系
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发货地 广东广州 商品类型 电子元器件 、 实验器材/测试器材/开发工具 、 电子实验/科学实验器材 商品关键词 GJB128、 MIL、 STD、 750、 封装形式的分立器件、 电容器、 二极管、 三极管 商品图片 商品参数 品牌: 泰络TELO 封装: 封装 试验电源: 1-1500V 四组 电压检测范围: 0-1500V 测...
gjb128 半导体分立器件试验方法 半导体分立器件试验方法是半导体行业中非常重要的一部分,其主要目的是检查器件的性能是否符合设计要求。进行半导体分立器件试验的主要目的是确认器件所具备的电气性能,包括各种参数的测量,如电压,电流,功率等基本参数。在半导体分立器件试验中应该注意以下几点: 1. 熟悉指标 在进行半导体分立...
(本处应翻译为小于等于,GJB-128B翻译为大于等于是不正确的) 增加试验条件F倒装芯片的键合剪切力、试验条件G梁氏引线的推开试验、试验条件H梁氏引线的拉开试验。 失效种类使用数字代码代替字母,修正了内引线键合文字错误。 失效种类删除内引线焊片失效种类。 失效种类增加了外部键合、倒装芯片和梁氏引线器件的失效模式。
GJB128B201是中国军标中的半导体分立器件试验方法标准。根据该标准,半导体分立器件的试验应该包括以下内容: 1. 绝缘电阻试验:使用绝缘测试仪测量不同电极之间的绝缘电阻。检验电极之间是否有绝缘故障。 2. 导通电阻试验:使用二极管测试仪或万用表测量正向导通电阻和反向导通电阻。检验器件是否正常导通。 3. 反向漏电流试...
GJB128B-2021标准版本变更汇总 (连载15)方法3407 漏源击穿电压、3472 开关时间、4023 二极管特性曲线、4066 浪涌 方法3407 漏源击穿电压 该方法仅增加了丢失的测试电路图1 方法3472 开关时间 该方法该方法主要修正了文字印刷错误,但部分内容更改是存在疑点的。主要问题如下:...
实现功能描述:高速光电开高低温测试系统测试原理符合《GJB 128半导体分立器件试验方法》、《GJB 33A-97半导体分立器件总规范》、《SJ/Z 9014 半导体器件 分立器件》、《SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法》、《GJB 8120-2013 半导体光电模块通用规范》等相应的国家标准、国家军用标准。
因此，为了规范半导体分立器件的筛选工作，提高器件的质量和可靠性，军事部门制定了GJB128A-97标准。二、筛选原则GJB128A-97标准规定了半导体分立器件筛选的基本原则，包括以下几点：1. 筛选应全面、客观、科学，确保筛选结果的准确性和可靠性。2. 筛选应针对不同的器件类型和应用领域，制定相应的筛选方案。3. 筛选应...