11、GJB-128B未对美军标该方法第七部分参考教程进行翻译,导致对测试影响较大的一些测试细节参数无法进行规范,例如tMD和VH的取值方法,热阻抗曲线确定方法等。故建议我司产品保持现有方法不变,即仍执行美军标MIL-STD-750。(版本E或F)。 可以参照本人翻译版本...
该图像不仅与现行美军标不一致,与GJB548B也不一致。经调查该图与MIL-STD-750 D中插图基本信息保持一致,后美军标修订该处错误。美军标更改对比如下: GJB 128图例 MIL-750图例 4.3.3.2新增了稳态直流测试热平衡条件判定准则。 4.3.3.3新增了脉冲直流测试热平衡条件判定准则。 4.3.8.2静电防护执行标准号由GJB 1649改...
GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。 GJB 10159-2021 军用软件异常分类 GJB 10159规定了...
GJB 128B-2021半导体分立器件试验方法已于2022年3月1日实施,相对现行标准,新版标准对部分内容进行了变更。针对我司VDMOS产品涉及的各种方法,我司对新标准与旧标准的差异进行了分析。 部分文件列表 文件名大小 GJB_128B-2021.pdf908K 立即下载 【关注视频号领20积分】【关注公众号立即送20积分】 ...
GJB128B-2021是针对半导体分立器件的一项重要标准,规定了该类器件的通用试验方法。这些试验方法涵盖了基本环境试验、力学(物理)试验和电学试验,旨在确定器件在自然环境和军用工作环境中的耐受能力和稳定性。标准适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品以及其他相关元器件。
GJB 128B-2021相似标准 GB/T 6589-2002半导体器件分立器件第3-2部分;信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范GB/T 6588-2000半导体器件分立器件第3部分;信号(包括开关)和调整二极管 第一篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范GB/T 6352-...
在中国标准分类中,gjb 128b-2021涉及到。国家军用标准-总装备部,关于gjb 128b-2021的标准GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 GJB 33B-2021 半导体分立器件通用规范 GJB 923B-2021 半导体分立器件外壳通用规范 GJB 3324-2021 GJB 3324-2021 GJB 2178A-2021 GJB 2178A-2021 GJB 1963A-2021 GJB 1963A-2021...
GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。
GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。