GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 Semiconductor discrete device test methods 点击打开全屏PDF预览 点击查看大图 标准号 GJB 128B-2021 2021年 总页数 401页 发布单位 国家军用标准-总装备部 当前最新 GJB 128B-2021 购买 正式版 标准名称:半导体分立器件试验方法 适用范围:本标准规定了半导体分立器件的试验方...
GJB 128B-2021 标准名称:半导体分立器件试验方法 适用范围:本标准规定了半导体分立器件的试验方法,包括环境试验、热特性测试以及低频和高频测试等。适用于各类半导体分立器件在不同条件下的性能评估。 该文档详细描述了一项针对半导体分立器件的国家军用标准,涵盖了从试验条件、取向到具体测试方法等一系列规范。它不仅规定...
该处纠正了128A翻译错误。 条件B适用范围应为图2-图11,此处为128 B翻译错误。(美军标原文中该处有一理想特性曲线示意图,国军标未绘制该图,造成了以上序号错误问题) 串联负载电阻范例中纠正了128A版本IBR值书写错误:10μA 修正为100μA 增加了击穿电流应使用测试击穿电压所采用电流的规定 击...
程序安装要求增加单探测面传感器中心对准需在2mm以内要求。 程序试验顺序中,修正了b振动“3s±1s”的书写错误。 增加了筛选接收管理要求,相对于原GJB33A规定,试验是否接收判据有重大调整,调整的标准与GJB548B保持一致。 更改了腔体高度和频率的对应关系,增加了计算公式和示例。 下图中为常见金属封装PIND试验频率和腔体...
GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。
最新一批国家军用标准GJB更新上线啦,共计154项!包括大家期待很久的GJB 3206B-2022和GJB 128B-2021和GJB 1406A-2021等。具体来看,新发布的国家军用标准涉及技术状态管理、安全风险评估、特种工业、航空发动机等领域。 部分推荐 GJB 3206B-2022技术状态管理
最新!GJB 3206B-2022、GJB 128B-2021等118项国家军用标准发布啦 最新一批国家军用标准GJB更新上线啦,共计118项!包括大家期待很久的GJB 3206B-2022和GJB 128B-2021。具体来看,新发布的国家军用标准涉及技术状态管理、安全风险评估、特种工业、航空发动机等领域。
(远程终端有RT效性测试)GJB5186[1].1-2003.pdf 上传者:xvjuntao时间:2009-07-08 GJB150.6A温度-高度试验.pdf 旧版本 GJB150.6A温度-高度试验.pdf 旧版本 上传者:xingsongyu时间:2021-01-23 GJB 128B-2021《半导体分立器件试验方法》.pdf GJB 128B-2021《半导体分立器件试验方法》.pdf ...
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