GJB 128B-2021 购买 正式版 标准名称:半导体分立器件试验方法 适用范围:本标准规定了半导体分立器件的试验方法,包括环境试验、热特性测试以及低频和高频测试等。适用于各类半导体分立器件在不同条件下的性能评估。 该文档详细描述了一项针对半导体分立器件的国家军用标准,涵盖了从试验条件、取向到具体测试方法等一系列规范...
1、方法2017 芯片粘附强度 试验方法主要进行了以下文字调整: 设备准确度要求改为取其小者。 纠正了试验设备中条件B工具的书写错误(GJB128A-97版错误写为C)。 试验条件A中优化了失效判据的描述。 试验条件B修正适用范围为40mmmm2器件。(美军标中该判据为1.645mm2,怀疑128A和B均为笔误) 说明增加了芯片最小粘附强...
GJB 128B-2021由国家军用标准-总装备部 CN-GJB-Z 发布于 2021-12-30,并于 2022-03-01 实施。GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法的最新版本是哪一版?最新版本是 GJB 128B-2021 。GJB 128B-2021的历代版本如下: 2021年 GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 1997年 GJB 128A-1997 半导体分立器件试验...
主要问题如下: RLC电桥应为RLC电桥,128A版本的翻译是准确的。 删除了g.影响测量的判定标准,该项在美军标中是保留的。 图2 td(OFF)标注的位置是错误的,128A版本的标注(除了标签位置外)是正确的。该处错误源自美军标标注错误,正确标注参见美军标方法3459 方法4023二极管特性曲线 该方法该方法主要修...
最新!GJB 3206B-2022、GJB 128B-2021等118项国家军用标准发布啦 最新一批国家军用标准GJB更新上线啦,共计118项!包括大家期待很久的GJB 3206B-2022和GJB 128B-2021。具体来看,新发布的国家军用标准涉及技术状态管理、安全风险评估、特种工业、航空发动机等领域。
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。
GJB128B-2021是针对半导体分立器件的一项重要标准,规定了该类器件的通用试验方法。这些试验方法涵盖了基本环境试验、力学(物理)试验和电学试验,旨在确定器件在自然环境和军用工作环境中的耐受能力和稳定性。标准适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品以及其他相关元器件。
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。
GJB 128B-2021半导体分立器件试验方法已于2022年3月1日实施,相对现行标准,新版标准对部分内容进行了变更。针对我司VDMOS产品涉及的各种方法,我司对新标准与旧标准的差异进行了分析。 二、 范围 本文首先将各个方法主要变更内容进行了列举,特别是涉及判据和极限的关键数据进行了详细分析。然后根据VDMOS产品特性,将标准变...