4.3.8.2静电防护执行标准号由GJB 1649改为GJB/Z 105 和GJB 3007。 4.7 ~4.10章节新增破坏性和非破坏试验清单和详细要求,新增实验室资质和环保要求。 变更内容对VDMOS产品实际进行试验过程影响不大,部分要求相对于GJB128A-97来说相对放宽了。
11、GJB-128B未对美军标该方法第七部分参考教程进行翻译,导致对测试影响较大的一些测试细节参数无法进行规范,例如tMD和VH的取值方法,热阻抗曲线确定方法等。故建议我司产品保持现有方法不变,即仍执行美军标MIL-STD-750。(版本E或F)。 可以参照本人翻译版本...
江苏粤科检测,作为专业的第三方电子元器件检测机构,为您提供半导体分立器件的全方位GJB128B-2021检测服务。我们实验室具备CNAS认可的检测资质和先进的检测设备,致力于为客户提供高质量、可靠的检测解决方案。 什么是GJB128B-2021? GJB128B-2021是针对半导体分立器件的一项重要标准,规定了该类器件的通用试验方法。这些试...
GJB 128B-2021相似标准 GB/T 6589-2002半导体器件分立器件第3-2部分;信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范GB/T 6588-2000半导体器件分立器件第3部分;信号(包括开关)和调整二极管 第一篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范GB/T 6352-...
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。
国际标准分类中,gjb 128b-2021涉及到。在中国标准分类中,gjb 128b-2021涉及到。国家军用标准-总装备部,关于gjb 128b-2021的标准GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 GJB 33B-2021 半导体分立器件通用规范 GJB 923B-2021 半导体分立器件外壳通用规范 GJB 3324-2021 GJB 3324-2021 GJB 2178A-2021 GJB 2178A-...
GJB 128B-2021半导体分立器件试验方法已于2022年3月1日实施,相对现行标准,新版标准对部分内容进行了变更。针对我司VDMOS产品涉及的各种方法,我司对新标准与旧标准的差异进行了分析。 部分文件列表 文件名大小 GJB_128B-2021.pdf908K 立即下载 【关注视频号领20积分】【关注公众号立即送20积分】 ...
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学(物理)试验和电学试验。适用于军用半导体分立器件,包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件,其他元器件也可参照使用。