一、gate-source电压的作用 gate-source电压是控制MOSFET导通和截止的关键参数。当gate-source电压达到一定数值时,MOSFET会进入导通状态,形成通路;反之,当gate-source电压小于特定值时,MOSFET将截止,断开通路。gate-source电压的大小直接影响着MOSFET的开关动作,进而控制整个桥式电路的工作状态。 二、影响gate-source电压的...
网络释义 1. 闸源极 u闸源极(Gate-Source)寄生电容和闸汲极(Gate-Drain)寄生电容。 ir.lib.stut.edu.tw|基于 1 个网页 2. 闸源 ...为一台Class III等级的设备,同时赋予充裕的闸源(gate-source)电压范围(-6伏特到+10伏特),可在高效率模式(如Class C)下作 … ...
求翻译:gate-source是什么意思?待解决 悬赏分:1 - 离问题结束还有 gate-source问题补充:匿名 2013-05-23 12:21:38 栅- 源 匿名 2013-05-23 12:23:18 栅来源 匿名 2013-05-23 12:24:58 门来源 匿名 2013-05-23 12:26:38 栅源 匿名 2013-05-23 12:28:18 栅- 源热门同步练习册...
受RG_EXT等开关条件影响,ICGD2可能会达到几安培,并且该电动势可能会增加。 受上述事件(I)、(II)、(III)的影响,LS导通后的Gate-Source电压呈现出波形示意图中所示的动作。波形示意图和等效电路图的相同编号表示同一事件。另外,图中VGS的虚线波形表示理想的波形。 外置栅极电阻的影响 下面是SiC MOSFET桥式结构的LS...
在桥式电路中,Gate-Source电压的动作是关键的一步。当Gate-Source电压的极性和大小有所变化时,可以改变二极管的导通状态。这可以通过改变Gate-Source电压引入的电流极性来实现。 当Gate-Source电压为正且在一定范围内时,D2和D3二极管不再截止。这将导致正向电压在R上形成一个附加通道,使得桥式电路中的电流增加。因此...
SiC MOSFET是一种具有高电压、高频率和高温特性的功率半导体器件,常用于高性能电力电子系统中。在SiC MOSFET中,Gate-Source 电压是控制器器件导通和关断的关键参数之一。在低边开关导通时,Gate-Source 电压的动作起到了至关重要的作用。 当SiC MOSFET处于低边开关导通状态时,Gate-Source 电压会呈现不同的动作特性。
SiC MOSFET低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作 当SiC MOSFET的LS导通时,首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动,受下述等效电路图中所示的事件(I)影响,在图中所示的极性产生公式(1)的电动势。公式(1)与上一篇文章中使用的公式相同。该电动势引起的电流将源极侧作为...
SiC MOSFET低边开关导通时Gate-Source间电压的动作-KIA MOS管 当SiC MOSFET的LS导通时,首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动,受下述等效电路图中所示的事件(I)影响,在图中所示的极性产生公式(1)的电动势。
翻译结果3复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 栅源泄漏电流 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 gate-source漏泄电流 翻译结果5复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 门来源漏出潮流 相关内容 aPreviously applied at L'Oréal 正在翻译,请等待...[translate] ...
芯片的gate和source区域可以通过以下几个方面来区分: 首先,从芯片设计的角度来看,gate区域通常用来控制晶体管的开闭,主要承担控制信号的作用,因此在芯片的布局上会相对集中,通常位于电路的控制部分。 而source区域则是晶体管的电流源,主要负责提供电流给晶体管的channel区域。在芯片布局上,source区域通常会与其他电路区域...