22nm gate last flow Cut放在了OX filing以后。 -28-SDB:在Fin Cut之后,通常还会有一步SDB工艺,Single Diffusion break工艺,其沿着栅极方向切断扩散区的Fin,形成浅沟槽隔离,使Fin再次被分割,可以得到集成度更高的半导体器件。其由最初的Double diffusion break DDB工艺转化而来。 Finfet中通常采用双扩散区切断(doub...
Device Module Gate:构建一个位于源与漏中间的栅极,进行离子掺杂工艺和SIN侧墙技术等,HK MG工艺使用的gate-last工艺,先使用一个dummy poly gate图形,再出去poly用high-k 的金属取代。Gate下面使用介质与衬底隔离开,类似于MOSFET,金属控制用氧化物分离。 -1 在28nm中使用DG (Dual Gate):双栅工艺,就是在一套工艺...
22 nm FinFET(7)22 nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍 (7) 22nm后栅FinFET工艺流程(湿法版)(7) #半导体FinFET#鳍式晶体管 #22纳米 14纳米 7纳米 3纳米# - 淡然2018于20231129发布在抖音,已经收获了3个喜欢,来抖音,记录美好生活!
22nm FinFET (4)22 nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍 (4) 22nm后栅FinFET工艺流程(湿法版)(4) #半导体FinFET#鳍式晶体管 #22纳米 14纳米 7纳米 3纳米# - 淡然2018于20231111发布在抖音,已经收获了3个喜欢,来抖音,记录美好生活!
今天分享网上流传很广的22nm FinFET process flow. 严格来说工艺节点进入20nm以下才会用到FinFET工艺(下期会继续分享22nm Planar process flow),但以I公司为代表的在22nm工艺节点就用到此工艺。像T和S公司都是在16nm/14nm才用到FinFET工艺。 1. Screen Oxide Growth ...