Nexperia GAN041-650WSB氮化镓(GaN)场效应管提供650V漏源极电压、47.2A漏极额定电流和41毫欧最大电阻。GAN041采用TO-247封装,是一种通常关闭的器件,结合了高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术。这些技术的结合提供了卓越的可靠性和性能。Nexperia GAN041-650WSB GaN FET是理想的无桥图腾柱PFC,伺服电机驱动器...
GAN041-650WSB 是一款采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓(GaN) FET。这是一个 常关器件,结合了Nexperia最新的高压GaN HEMT H2技术和 低压硅MOSFET技术— 提供卓越的可靠性和性能。 2. 特点和优势 • 超低反向恢复电荷 • 简单栅极驱动(0 V 至 10 V 或 12 V) • 坚固的栅极氧化物(±20...
GAN041-650WSB - The GAN041-650WSB is a 650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering s
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