奈梅亨,2019 年 11 月 19 日:分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 m?6...
The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. 2. Features and benefits • Ultra-...
●一般说明GAN063-650WSA是一个650伏,50mΩ 氮化镓场效应管。它是一种常关器件,结合了Nexperia最先进的高压氮化镓高电子迁移率晶体管和低压硅MOSFET技术,提供了卓越的可靠性和性能。● 特点和优点■超低反向回收费用■简单栅极驱动(0 V至+10 V或12 V)■坚固的栅氧化层(±20 V容量)■高栅极阈值电压(+4 V...
奈梅亨,2019 年 11 月 19 日:分立、逻辑和MOSFET器件的专业制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 m?6?8...