这是因为高浓度 n 型掺杂 SiC 晶体在导带中存在大量载流子(电子),基于能带结构的特点,它们会吸收特定能量的可见光。通常情况下,半导体的禁带宽度会随着原子间距的减小而增大。就拿 SiC 来说,它的禁带宽度比 Si 大,却又小于 C(金刚石)的禁带宽度(5.5eV)。另外,GaN 的原子间距离(0.192nm)和 SiC 的原子间距离...