反之,一条比较窄的能带表明对应于这条能带的本征态主要是由局域于某个格点的原子轨道组成,这条带上的电子局域性非常强,有效质量相对较大。 3)如果体系为掺杂的非本征半导体,注意与本征半导体的能带结构图进行对比,一般而言在能隙处会出现一条新的、比较窄的能带。这就是通常所谓的杂质态(doping state),或者按照掺...
(5)能带结构图的绘制:点击CASTEP Energy文件夹中的ZnS.xsd→ CASTEP Analysis→ Band structure→ View。得到ZnS Band Structure.xcd,具体能带信息见BandStr.castep,如图五。 图五 能带结构图 BandStr.castep中记录的信息十分详尽,包括电子数目(自旋向上与自旋向下)、能带数目、计算耗时等。 (6)初步分析: 从能带结...
反之,一条比较窄的能带表明对应于这条能带的本征态主要是由局域于某个格点的原子轨道组成,这条带上的电子局域性非常强,有效质量相对较大。 3)如果体系为掺杂的非本征半导体,注意与本征半导体的能带结构图进行对比,一般而言在能隙处会出现一条新的、比较窄的能带。这就是通常所谓的杂质态(doping state),或者按照掺...
一句话提要:用VASPKIT是计算能带结构图最简单的方式,计算结果可以用Origin画图,也可以用Pymatgen画图。本文讲解用Origin画图方法。 使用vaspkit 21功能得到的PBAND_.dat文件可以直接用origin画图得到投影能带,PBAND_.dat的文件格式如下: #K-Path Energy s py ... tot#Band-index 10.000 -14.278 0.275 0.000 0.005...
布里渊区边界的能带结构E(k)关系相对于空晶格模型发生畸变 这幅图→畸变关系 对第一能带，同样的能量...
这几天原本做电路实验的时候看到FFT的分析,然后查了一下看到了有用matlab来模拟多少个波的叠加可以得到比较好看的三角波、方波之类的,一时心血来潮,就想着要不我也来试试用matlab画出能带图,于是渣渣我又来了,顺便复习一波matlab画三维图的知识,手册走起。
固体计算最终结果将以能带结构展示出来,关于能带结构,固体中化学键分析,轨道之间的相互作用的解释等是一个复杂的过程,这里只是简单的根据本人的经验对此作定性的描述. 根据Fermi面附近能带的分布情况,固体分为绝缘体(insulator),半导体(semi-conductor),导体(conductor),导体比较典型的是金属,能带在Fermi面附近是连续分布...
图1 导体,绝缘体,半导体的能带结构 这里单独说一下半导体。半导体原本跟绝缘体一样,能带要么完全被占据,要么完全没有被占据。但问题是,半导体中能量最高的那个完全占据的能带,和能量最低的那个不被占据的能带,之间的禁带比较窄(通常小于2eV,但现在一些禁带3eV左右的体系也叫做半导体)。我们在讨论半导体的时候,一般...
④当正向电压很大时,耗尽区宽度恒定,少子从体区漂移进硅表面,此时表面电子总浓度已经与体区空穴总浓度相当,这一状态叫做强反型。能带图如下: 2.MOSFET的结构(以N沟道增强型MOSFET为例) 我们将MIS结构两端分别加上N型区,分别叫做源(source)、漏(drain)这样就形成了两个相互背靠着的PN结(NPN),再加上金属和氧化...
(5)能带结构图的绘制:点击CASTEP Energy文件夹中的ZnS.xsd→ CASTEP Analysis→ Band structure→ View。得到ZnS Band Structure.xcd,具体能带信息见BandStr.castep,如图五。 图五 能带结构图 BandStr.castep中记录的信息十分详尽,包括电子数目(自旋向上与自旋向下)、能带数目、计算耗时等。 (6)初步分析: 从能带结...