纯硅分子筛只有1个孤立的Si—OH特征峰,位于约3745 cm-1,低频约3500 cm-1处的峰为内部硅羟基巢。大部分硅铝分子筛在高频区均有一尖锐的峰,归属于孤立的外部硅羟基,而此峰在低频侧尾部区域不同,具体取决于Si空位产生的内部硅羟基的情况[3]。硅铝分子筛在3600～3650 cm-1出现第2个强峰,为典型的B酸中心,该...
在这项工作中,我们使用了带有焦平面阵列(FPA)探测器的布鲁克HYPERION II FTIR显微镜。 FTIR图像中的颜色代表Ca/Si比率。深蓝色区域表示含有大量Si,白色区域表示含有大量Ca。绿色表示C-S-H相。 由配备有FPA探测器的HYPERION测得的ATR-FTIR成像图 由上图可知富硅区与富钙石灰岩之间的过渡区形成了C-S-H相,说明富...
(7) 锗 Ge : 纯度越高透光越好,透光性受纯度和厚度的影响,23μm和40μm以外可以使用,在120℃时不透明; (8) 硅 Si : 耐机械和热冲击,可达15μm,但是,在9μm(1110cm-1)时有一吸收带; (9) 热压块 : 用红外晶体的粉末加压成型,有MgF2,ZnS,CaF2,ZnSe,MgO等,混合热压块的机械性能超过晶体; (10)...
发生在强吸收带的折射率的弥散也导致结果的非线性。这在具有高折射率的材料分析方面特别重要,如Ge或Si的分析。与颗粒大小有关的散射现象也会导致吸收带畸变。在样品中的具有掩盖光谱特征的杂质组分也可能引入较大的误差。因此,这些组分也应该包括在校正样品中或至少应被检测。 定量分析的成功与否,校正样品的选择是重...
无机物中硅氧键(Si-O-Si)在1100-1000cm⁻¹呈现宽强吸收峰,碳酸根离子在1450-1410cm⁻¹和880-850cm⁻¹出现特征双峰。 峰位置归属需综合考虑多重因素。物理状态差异导致峰位移:液态样品因分子间作用力增强,吸收峰较固态样品向低波数偏移3-5cm⁻¹。制样方法影响显著,KBr压片法可能引起羟基峰形变宽...
(1) Ca(OH)2+ H4SiO4→ CaH2SiO4·2 H2O 古罗马混凝土板(Roy Kaltschmidt摄于伯克利实验室) C-S-H相可以通过电子微探针(EPMA)等各种不同的技术进行原位分析。EPMA可以通过元素映射,直观地描绘不同元素及其分布。但是,用这种技术测定C-S-H相的模态量和精确分布十分具有挑战性,甚至几乎不可能。
The FTIR spectra indicate that some Si-OH components in the thin film can be removed after doping fluorine. These changes reduce the ionic and orientational polarization, and result in the reduction in dielectric constant of the film. According to Gaussian fitting, it is found that the Si-F2 ...
FTIR图像中的颜色代表Ca/Si比率。深蓝色区域表示含有大量Si，白色区域表示含有大量Ca。绿色表示C-S-H相。由配备有FPA探测器的HYPERION测得的ATR-FTIR成像图 由上图可知富硅区与富钙石灰岩之间的过渡区形成了C-S-H相，说明富硅玻璃在该样品中充当了火山灰材料。反应如式(1)所示。为了获得过渡区边缘的更详细信息...
IR光譜解析 O-H鍵3200～3500cm-1一般皆有氫鍵為寬大的吸收帶。N-H鍵3000～3300cm-1範圍，氫鍵的影響比較小，吸收訊號較OH鍵尖銳。NO2鍵一般吸收有兩個位置分別為1500～1550cm-1和1300～1360cm-1間的兩個吸收峰。Si-O鍵在1000～1100cm-1有強烈的Si-O吸收峰 5 IR光譜解析 .如何判斷IR的光譜如何判斷IR的...
(InGaAs PIN photodiode), then the signal is subjected to arithmetic processing (Fourier transform) to obtain the optical spectrum. By measuring the position of the movable mirror inside the interferometer using a photodetector (Si PIN photodiode) and semiconductor laser (VCSEL), it is possible to...