VREFP_0:电压基准,此引脚可连接到外部1.25V 精确参考IC(±0.2%或12 位的±9 LSB),以获得ADC 的最佳性能。应将其视为模拟信号,与VREFN 信号一起提供1.25V 差分电压。如果将此引脚连接到GNDADC,芯片内参考源(12 位时为±1%或±41 LSB)被激活。如果没有提供外部引用,这个引脚应该应始终连接到GNDADC。 VREFN...
有时即使在以前的设计中已经成功的在电路板上设计了VREF生成电路,也会在VREF引脚上发现大量噪声(200–400mV)。大量VREF噪声的存在可能导致高性能SelectIO接口(如宽DDR3存储器接口)的设计裕度损失。本文重点介绍这种VREF噪声的来源,并给出优化PCB SelectIO VREF生成电路的方法。 1. VREF输入 图1显示了FPGA内部VREF电路...
因为DDR2采用1.8V的SSTL电平进行数据传输,所以DDR2所在FPGA 的Bank电压必须是1.8V,FPGA就必须在该Bank使用VREF参考电压。在FPGA的每个Bank都有两个VREF参考电压输入,该Bank的I/O分属这两个VREF组,如在Bank3存在VREFB3N0和VREFB3N1。 当FPGA的一个Bank存在VREF输入或双向的管脚时,为了防止输出的开关噪声转移到VREF...
1.8V LVCMOS的阈值设置为0.63V和1.17V(需要接收器处的信号至少摆动540mV以进行逻辑转换)。SSTL18等级1的阈值设置为VREF–0.125V和VREF+0.125V,或标称VREF为0.9V,设置为0.775V和1.025V(要求接收器处的信号至少摆动250 mV,以进行逻辑转换)。所需的较小摆动允许在整个链路中进行更高频率的操作。驱动器的较小摆幅意...
引言:本文我们介绍Xilinx 7系列FPGADDR3硬件设计规则及约束,包括Bank选择、管脚位置约束、管脚分配、端接、I/O标准和走线长度。 01、设计规则 存储器类型、存储器数量和数据宽度受限于所选FPGA器件家族、FPGA速度等级和设计频率,频率范围取决于器件电气特性。
VREF走线需要大于最小间距,以减少与其他干扰信号的耦合。 VCCAUX_IO VCCAUX_IO依据存储器的性能可以设置为1.8V或者2.0V。如果需要进行不同的存储器或者FPGA器件迁移,此时,VCCAUX_IO供电可以考虑设置为可调整的。 端接 图5、DDR3地址/控制信号端接 强烈建议进行信号模拟仿真(IBIS或其他)。地址(A,BA)命令(RAS_N...
VREFCA:控制、命令和地址参考电压,电压为VDD/2; VREFDQ:数据参考电压,电压为VDD/2; 3.DDR3 寻址及容量计算 3.1 DDR3数据寻址 图3、DDR存储阵列示意 图3、DDR存储阵列示意 如图3所示,DDR3的内部是一个存储阵列,类似一张二维表格,数据读写操作即对这个阵列进行操作。所谓寻址就是操作指定表格单元(图中黄色单元...
例如，某些FPGA管脚可能更适合作为时钟管脚，而其他管脚则可能更适合用于数字控制阻抗（DCI）级联或内部电压参考（VREF）。此外，还有许多类型的IP，如内存IP、千兆收发器（GT）、Xilinx的高速IO IP以及PCI Express®（PCIe）和以太网接口等，它们都有特定的I/O端口需求。在开始I/O规划之前，必须确保这些IP已通过...
Internal Vref:内部参考管脚,表示将某些参考管脚当成普通的输入管脚来用。由于开发板的 IO 资源较为紧张,因此这里需要选择“ON”,把参考管脚当做普通的输入管脚来用。 IO Power Reduction:IO 管脚节省功耗设置。本实验选择“ON”,即开启。 XADC Instantiation:XADC 模块例化。使用 MIG IP 核运行的时候需要进行温度补...
此外，单端I/O标准在差分输入缓冲时需要参考输入电压（VREF），这种信号被称为伪差分信号，例如DDR2/3所采用的差分SSTL电平标准。在I/O bank中，当需要VREF电压时，相关管脚应作为电源管脚使用。另一方面，全局辅助电压Vccaux为FPGA内部逻辑资源模块（如BRAM）提供电源，同时也为某些I/O标准输入缓冲电路供电。而Vccaux...