NEx片选后,NOE要保持一段时间的高电平,这个时间就是ADDSET地址建立时间(通过寄存器FMC_BTRx可配置)。之后NOE变为低电平,读使能。低电平保持的时间由DATAST数据建立时间(通过寄存器FMC_BTRx可配置)决定。 读取完毕数据后,NOE变成高电平,NEx变成高电平。 这里主要一点,A模式读时序没有用到地址保持时间(Address Hold)...
FMC_CLK引脚: FMC在驱动NOR/PSRAM/SRAM存储器时,通常工作于异步模式下,不需要使用FMC_CLK信号线; FMC在驱动NOR/PSRAM存储器时,只有工作在同步访问的突发模式下时,才会需要使用FMC_CLK信号线; FMC_CLK信号是fmc_ker_ck分频得到的信号,通过配置CCLKEN位来决定是否启用; NOE引脚: 读数据信号;单片机读取数据; NWE...
DATAST实际上对应的就是76.4.4小节里面的t11或者t12。 如果采用CS(NEx)片选和RD(NOE)读信号独立方式,对应的时间最小15ns,即t11。 如果采用CS(NEx)片选和RD(NOE)读信号并联方式,对应的时间最小22ns,即t12。 我们这里将t12作为最小值更合理,因为CS(NEx)片选信号,每读取完毕一路,拉高一次。 有了这些认识后,...
PD1/FMC_D3 PD4/FMC_NOE --- 读控制信号,OE = Output Enable , N 表示低有效 PD5/FMC_NWE -XX- 写控制信号,AD7606 只有读,无写信号 PD8/FMC_D13 PD9/FMC_D14 PD10/FMC_D15 PD14/FMC_D0 PD15/FMC_D1 PE7/FMC_D4 PE8/FMC_D5 PE9/FMC_D6 PE10/FMC_D7 PE11/FMC_D8 PE12/FMC_...
PD4/FMC_NOE --- 读控制信号,OE = Output Enable , N 表示低有效 PD5/FMC_NWE -XX- 写控制信号,AD7606 只有读,无写信号 PD8/FMC_D13 PD9/FMC_D14 PD10/FMC_D15 PD14/FMC_D0 PD15/FMC_D1 PE7/FMC_D4 PE8/FMC_D5 PE9/FMC_D6 PE...
LCD_RD:LCD读使能,对应PD4,FMC_NOE; RESET:LCD复位信号,直接与单片机复位信号接在一起; 根据这些信息,在STM32CubeMX中先配置BANK1第一个分区的基本设置: SRAM时序参数配置 本文中使用的LCD控制器为NT35510控制器,找到其数据手册,查看: 其中主要的时序参数配置方法如下。
可以等价与nandflash中TADL（ALE to Data Loading Time）；MEM_WAIT:等待时间；定义使能命令（NWE、NOE...
7. 使用调试工具：如果可能的话，使用调试工具（如ST-LINK）逐步执行代码，观察NE2通道的寄存器值和变量...
| PD0 <-> FMC_D2 | PF2 <-> FMC_A2 | PD4 <-> FMC_NOE | | PD1 <-> ...
STM32F4 FMC NOE一直是低电平是什么原因 最近在调STM32F4的FMC有个奇怪的现象,NOE管脚一致是低电平,好奇怪,是不是我FMC配置有误,大家帮忙看看:void FMC_GPIO_Init(void uvysdfydad 2018-09-21 09:21:29 STM32F7技术培训1:存储器映射 STM32F7技术培训1--系统架构_存储器映射 2018-07-02 10:30:07 ...