FMC_CLK信号是fmc_ker_ck分频得到的信号,通过配置CCLKEN位来决定是否启用; NOE引脚: 读数据信号;单片机读取数据; NWE引脚: 写数据信号;单片机发送数据; NL(NADV)引脚: 锁存使能,nor flash的地址有效信号; NWAIT引脚: nor flash输入到单片机的信号,表示nor flash准备好了,等待输入; NBL[3:0]引脚: PSRAM/SRAM...
MEM_SET:建立时间（地址或者数据建立时间）;定义使能命令（NWE，NOE）前建立地址所需的时间，可以等价与...
所以就用到74HC574的锁存功能,而锁存的实现需要一个上升沿触发,这个上升沿就是通过74HC32输出的。 再结合上面FMC写时序图,在NE片选为低电平,NWE写使能信号为高电平期间,即地址建立时间段ADDSET内,74HC32是输出的高电平。 进入到DATAST数据建立阶段,在NE片选为低电平,NWE写使能信号也为低电平时,74HC32输出低...
PD4/FMC_NOE --- 读控制信号,OE = Output Enable , N 表示低有效 PD5/FMC_NWE -XX- 写控制信号,AD7606 只有读,无写信号 PD8/FMC_D13 PD9/FMC_D14 PD10/FMC_D15 PD14/FMC_D0 PD15/FMC_D1 PE7/FMC_D4 PE8/FMC_D5 PE9/FMC_D6 PE...
写入完毕数据后,等待NWE置高1个FMC时钟周期后,NOE变成低电平,NEx变成高电平。 这里主要一点,A模式写时序没有用到地址保持时间(Address Hold)。 47.2.6 NOR/PSRAM/SRAM的不同位宽通信问题 FMC是外挂在64位带宽的AXI总线上,可以8位,16位,32位或者64位方式操作。如果FMC外接设备是16位带宽,H7参考手册给出了不...
NEx片选后,NWE要保持一段时间的高电平,这个时间就是ADDSET地址建立时间(通过寄存器FMC_BTRx可配置)。之后NWE变为低电平,写使能。低电平保持的时间由DATAST数据建立时间(通过寄存器FMC_BTRx可配置)决定。 写入完毕数据后,等待NWE置高1个FMC时钟周期后,NOE变成低电平,NEx变成高电平。 这里主要一点,A模式写时序没...
PD4/FMC_NOE --- 读控制信号,OE = Output Enable , N 表示低有效 PD5/FMC_NWE -XX- 写控制信号,AD7606 只有读,无写信号 PD8/FMC_D13 PD9/FMC_D14 PD10/FMC_D15 PD14/FMC_D0 PD15/FMC_D1 PE7/FMC_D4 PE8/FMC_D5 PE9/FMC_D6 PE...
else { g_tAdcFifo.ucFull = 1; /* FIFO 满，主程序来不及处理数据 */ } } } /* ***...
[31:0], NOE, NWEN, NBL[3:0], SDCLKE[1:0], SDNE[1:0], NRAS, NCAS, NADV, NWAIT, INTR CLK, BK1_NCS, BK2_NCS, D[7:0] HSYNC, VSYNC PIXCK, D(13:0) D+, D-, VDDUSB = 3.0 to 3.6 V, SCL, SDA, INT, ID, VBUS PA[15:0] PB[15:0] PC[15:0] PD[15:0] PE[...
FMC_CLK信号是fmc_ker_ck分频得到的信号,通过配置CCLKEN位来决定是否启用; NOE引脚: 读数据信号;单片机读取数据; NWE引脚: 写数据信号;单片机发送数据; NL(NADV)引脚: 锁存使能,nor flash的地址有效信号; NWAIT引脚: nor flash输入到单片机的信号,表示nor flash准备好了,等待输入; NBL[3:0]引脚: PSRAM/SRAM...