FMC_CLK引脚: FMC在驱动NOR/PSRAM/SRAM存储器时,通常工作于异步模式下,不需要使用FMC_CLK信号线; FMC在驱动NOR/PSRAM存储器时,只有工作在同步访问的突发模式下时,才会需要使用FMC_CLK信号线; FMC_CLK信号是fmc_ker_ck分频得到的信号,通过配置CCLKEN位来决定是否启用; NOE引脚: 读数据信号;单片机读取数据; NWE...
STM32F407或STM32F417系列芯片都带有FSMC接口,FSMC,即灵活的静态存储控制器,能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接,STM32F4的FSMC 接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和 PSRAM 等存储器。**注意:FSMC不能驱动如SDRAM 这种动态的存储器,而在STM32F429系列的控制器中,它具有FMC外设,支持控制 SDRAM ...
FMC_PMEM ，这个寄存器是我们读写nand常用的时序空间特性存储器空间的时序寄存器： FMC_PATT，这个是一些...
FMC_A11(B),FMC_A10(A) = 00时,1Y0输出的低电平,选择的是OLED。 FMC_A11(B),FMC_A10(A) = 01时,1Y1输出的低电平,选择的是74HC574。 FMC_A11(B),FMC_A10(A) = 10时,1Y2输出的低电平,选择的是DM9000。 FMC_A11(B),FMC_A10(A) = 11时,1Y3输出的低电平,选择的是AD7606。 然后我们再计...
FMC_NORSRAM_TimingTypeDef 指针类型的成员变量。前面我们讲到,FSMC 有读时序 和写时序之分,所以这里就是用来设置读时序和写时序的参数了, 也就是说,这两个参数是用 来配置寄存器 FSMC_BTRx 和 FSMC_BWTRx,后面我们会讲解到。下面我们主要来看看模式 A 下的相关配置参数: 参数NSBank 用来设置使用到的存储块标...
之后NOE变成低电平,读使能。低电平的维持时间从DATAST数据建立时间(通过寄存器FMC_BTRx可配置)决定。 tast: tast 表示地址建立时间,最小为0ns 由时序图可以知道,FSMC在ADDSET周期之后,进入DATAST周期之后将会进行数据采样。 所以我们设置(ADDSET)HCLK的时间要大于等于tast地址建立时间。
NEx片选后,NOE要保持一段时间的高电平,这个时间就是ADDSET地址建立时间(通过寄存器FMC_BTRx可配置)。之后NOE变为低电平,读使能。低电平保持的时间由DATAST数据建立时间(通过寄存器FMC_BTRx可配置)决定。 读取完毕数据后,NOE变成高电平,NEx变成高电平。
LCD_RD:LCD读使能,对应PD4,FMC_NOE; RESET:LCD复位信号,直接与单片机复位信号接在一起; 根据这些信息,在STM32CubeMX中先配置BANK1第一个分区的基本设置: SRAM时序参数配置 本文中使用的LCD控制器为NT35510控制器,找到其数据手册,查看: 其中主要的时序参数配置方法如下。
48.2.1 第1步,先来看FMC的块区分配 注,这个知识点在前面第47章的2.3小节有详细说明。 FMC总线可操作的地址范围0x60000000到0xDFFFFFFF,具体的框图如下: 从上面的框图可以看出,NOR/PSRAM/SRAM块区有4个片选NE1,NE2,NE3和NE4,但由于引脚复用,部分片选对应的引脚要用于其他功能,而且要控制的总线外设较多,导致片...
PD4 ---> FMC_NOE PD1 ---> FMC_DA3 PD1 ---> FMC_D3 PD0 ---> FMC_DA2 P...