1989 年,Hitachi 公司的工程师 Hisamoto 对传统的平面型晶体管的结构作出改变,在设计 3 维结构 MOS 晶体管的过程中 ,提出了一种全耗尽的侧向沟道晶体管,称为 DELTA 晶体管(Depleted Lean-Channel Transistor,如图1所示,这种 DELTA 的结构与三栅 FinFET(Fin Field Effect Transistor)的结构十分相似。同时,在平面 ...
FinFET的全称是Fin Field-Effect Transistor。它是一种新型互补金属氧化物半导体晶体管。FinFET 的名称是基于晶体管和鳍片形状的相似性。 FinFET是源自传统标准场效应晶体管 (FET) 的创新设计。在传统的晶体管结构中,控制电流流动的栅极只能控制栅极一侧电路的通断,属于平面架构。在 FinFET 架构中,栅极是类似于鱼鳍...
FinFET即将谢幕 FET的全名是场效电晶体(FET:Field Effect Transistor),大家最熟悉的莫过于MOSFET。MOSFET是目前半导体产业最常使用的一种场效电晶体(FET),科学家将它制作在硅晶圆上,是数字讯号的最小单位,一个MOSFET代表一个0或一个1,就是电脑里的一个位元(bit)。 但自MOSFET结构发明以来,到现在已经使用超过四十...
对于场效应管,我们最常用的是MOSFET,全称是金属氧化物半导体场效应管:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。MOSFET在1960年由贝尔实验室(Bell Lab.)的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功,这种元件的操作原理和1947年肖克利(William Shockley)等人发明的双载流子结型晶体管(Bip...
FinFET(Fin Field-Effect Transistor,鳍式场效应晶体管),是MOSFET设计的一次重大进步。其栅极放置在沟道的两侧、三侧、四侧或缠绕在沟道上,形成双栅甚至多栅结构。如下图: 其中,鳍(Fin)位于硅基底上方的细长竖直结构。这个鳍形成了晶体管的沟道区域,电流会在这个区域流...
因此美国加州大学伯克利分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor等三位教授发明了鳍式场效电晶体(FinFET:Fin Field Effect Transistor),把原本2D构造的MOSFET 改为3D的FinFET,因为构造很像鱼鳍,因此称为鳍式(Fin)。 英特尔自2012年在22纳米在芯片上,引入FinFET之后,全球半导体的都在此基础上研发。FinFET是将...
FinFET全称Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。 FinFET发展概况 FinFET 的发展概况随着集成电路制造工艺技术的特征尺寸按比例缩小到 22nm 时,短沟道效应愈发严重,仅仅依靠提高沟道的掺杂浓度、降低源漏结深和缩小栅...
FinFET工作原理。 FinFET(Fin Field-Effect Transistor)是一种三维晶体管结构,它是一种改进型的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),可以在集成电路中实现更好的性能和功耗效率。在FinFET的结构中,栅极控制区域被放置在两个细长的“鳍”上,这种设计可以有效地控制电流流动,提高晶体管的性能。下面我们将详细介绍...
对于场效应管,我们最常用的是MOSFET,全称是金属氧化物半导体场效应管:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。 MOSFET在1960年由贝尔实验室(Bell Lab.)的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功,这种元件的操作原理和1947年肖克利(William Shockley)等人发明的双载流子结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJ...
FinFET是Fin Field-Effect Transistor,被称为鳍式场效应晶体管。要理解FinFET,就要先了解晶体管是什么! 大家都知道:“两点之间线段最短”、“走直线,少走弯路”。然而在芯片界,有时路线却不是越短越好。 人类对便携性的追求,让电子产品越做越小,内部的电子部分的确是“越来越短”。比如最初的电脑是个巨无霸,...