安森美 晶体管 N沟道 75V低电压MOS管 场效应管 TO-220-3 FDP023N08B FDP023N08B 1百万 安森美 TO-220-3 新年份 ￥0.1300元10~-- 个 东莞市鑫江电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 FDP023N08B-F102 电子元器件 ON 批次22+ ...
电压:FDP023N08B的最大电压承受能力较高,具体数值应参考官方说明书或产品规格表。在实际应用中,应确保不超过其最大电压承受范围,以保证元件的正常工作和延长使用寿命。 电流:元件的电流承载能力也是关键参数之一。FDP023N08B能提供稳定的电流传输,确保在各种电路环境中均能正常工作。其具体的电流承载能力同样可以在产品...
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- 快速开关速度:FDP023N08B具有低栅极电荷(Qg典型值为68nC),这使其能够快速开关,从而在高频应用中表现出色,提高电路的整体速度和效率。 - 热性能优异:FDP023N08B的热阻(RθJC)为1.0°C/W,这意味着其具有良好的散热性能,能够在高功率应用中有效散热,保证器件的长期可靠性和稳定性。 综上所述,FDP023N08B凭借...
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FDP023N08B该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体®的先进 Power Trench® 工艺生产,这一先进工艺专用于最小化通态电阻,同时保持卓越的开关性能 技术特性 RDS(on) = 1.96mΩ(典型值) @ VGS = 10V, ID = 75A 低FOM RDS(on)*Qg 低反向恢复电荷,Qrr ...
品牌名称onsemi(安森美) 商品型号 FDP023N08B-F102 商品编号 C516098 商品封装 TO-220 包装方式 管装 商品毛重 2.16克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)75V 连续漏极电流(Id)242A ...
FDP023N08B 品牌名称 onsemi(安森美) 商品型号 FDP023N08B 商品编号 C17629622 包装方式 袋装 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 参数完善中 数据手册PDF 放大查看下载PDF梯度价格 梯度 售价 折合1袋 1+￥40.35￥40.35 200+￥16.1￥16.1 500+￥15.57￥15.57 1000+￥15.3￥15.3 ...
型号 FDP023N08B-F102 深圳市泰凌微电子有限公司成立于2015年,注册资本人民币500万元整,总部在深圳。 公司是业内的音视频类芯片增值代理商和方案提供商和优势分销商功能。 深圳市泰凌微电子是一家领先的专注于专业音视频行业的IC代理商、方案提供商和增值服务商。我司代理 Valens(HDBaseT延长,ADAS), 基石(GSCoolin...
November 2013©2013 Fairchild Semiconductor CorporationFDP023N08B Rev. C3www.fairchildsemi.com1FDP023N08BN-Channel PowerTrench® MOSFET75 V, 242 A, 2.35 mΩFeatures 数据表 search, datasheets, 电子元件和半导体, 集成电路, 二极管, 三端双向可控硅 和其他