FDP085N10A-F102 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code: compliant 风险等级: 1.28 雪崩能效等级(Eas): 269 mJ 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 100 V 最大漏极电流 (Abs) (ID): 96 A 最大漏极电流 (ID): ...
onsemi(安森美) 商品型号 FDP085N10A-F102 商品编号 C605050 商品封装 TO-220 包装方式 管装 商品毛重 2.99克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)96A 导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V,96A ...
百度爱采购为您找到FDP085N10A-F102等,品牌:Onsemi,封装:N/A,批号:23+,数量:10000,制造商:onsemi,产品种类:稳压器—开关式稳压器,RoHS:是,安装风格:SMD/SMT,封装 / 箱体:SOIC-8,拓扑结构:Boost, Buck,输出电压:1.25 V to 40 V,输出电流:1.5 A,输出端数量:1 Output,输入电压
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FDP085N10A-F102 概述 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 96 A, 8.5 mΩ N沟道MOSFET PowerTrench® 100 V, 96 A, 8.5英里© FDP085N10A-F102 数据手册 通过下载FDP085N10A-F102数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等...
型号: FDP085N10A-F102 封装: 21+ 批号: 原装封装 数量: 2300 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 类别: 分立半导体产品 产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列: PowerTrench® FET 类型: N...
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型号 FDP085N10A-F102 技术参数 品牌: ONSEMI 型号: FDP085N10A-F102 封装: NA 批号: 18+ROHS 数量: 5200 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极...
系列: FDP085N10A 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 4.7 mm 正向跨导 - 最小值: 72 S 下降时间: 8 ns 上升时间: 22 ns 零件号别名: FDP085N10A_F102 单位重量: 1.800 g 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或...
零件号别名FDP085N10A_F102 单位重量2 g 库存: 有货 货期: 国内(1~3工作日) 最小起订: 1个 整装: ￥10 单价:￥15.817275总价:￥15.82 价格(含增值税) 数量单价总价 115.81727515.82 1014.219297142.19 10011.4279821142.80 5009.3891784694.59 10007.7795547779.55 ...