FDP027N08B-F102 商品编号 C463721 商品封装 TO-220 包装方式 管装 商品毛重 2.903克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)80V 连续漏极电流(Id)223A 导通电阻(RDS(on))2.21mΩ@10V,100A ...
唯样商城为您提供ON Semiconductor设计生产的FDP027N08B_F102 元器件,主要参数为:120A(Tc) ±20V 246W(Tc) 2.7m Ohms@100A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 80V 223A N-Channel 120 A,223 A 80 V 2.7 m0hms -20 V、+20 V TO-220 增强 10170 pF @ 40 V 10.36*4.672*15.215mm
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FDP027N08B-F102 -ON Semiconductor- 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商型号:FDP027N08B-F102 制造商: ON Semiconductor 封装:TO-220-3 产品类别: 商品描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 定价(未税) 数量单价总价 121.0721.07 库存数量:410发货时间:最小起订:1 ...
FDP027N08B_F102 N-Channel PowerTrench ® MOSFET 80V, 223A, 2.7m ΩFeatures •R DS(on) = 2.21m Ω ( Typ.) @ V GS = 10V, I D = 100A •Low FOM R DS(on) *Q G •Low reverse recovery charge, Q rr •Soft reverse recovery body diode •Enables highly ...
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