产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-56-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 25 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V Qg-栅极电荷: 42 nC 最小...
类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: onsemi 系列: PowerTrench® FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 @ 7.9A,10...
本公司生产销售晶体管 晶体管,提供晶体管专业参数,晶体管价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.晶体管 晶体管 品牌onsemi|产地广东|价格2.00元|型号FDMS86163P|批号23+|工作温度150℃|最小包装量3000|系列FDMS86163P|封装8-PowerTDFN|供应商器件封装8-PQFN(5x6)|精
FDMS86163P MOSFET场效应管 ON/安美森 INDINEON英飞凌 优势代理渠道 FDMS86163P 15000 ON/安美森 QFN8 2020+ ￥14.2500元10~99 个 ￥12.3500元100~999 个 ￥10.7350元>=1000 个 深圳市波光电子有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 FDMS86163P 场效应管 ON/安森美 批号21+ ...
FDMS86163P 概述 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-100V,-50A,22mΩ 功率场效应晶体管 FDMS86163P 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 Reach Compliance Code: not_compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 Factory Lead Time: 26 weeks 风险等级: ...
MOSFETsONFDMS86163P 数据: 配置: 单路 阈值电压 : 4V 晶体管类型 : P沟道 功率耗散 : 2.5W,104W 充电电量 : 42nC 栅极源极击穿电压 : ±25V 击穿电压 : 100V 极性: P-沟道 元件生命周期 : Active 引脚数 : 8Pin 高度: 1.10mm 长x宽/尺寸 : 4.90 x 5.80mm 原产国家 : America 原始制造商...
一般特征 VDS = -100V ID =-50A RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=10V (类型：40mΩ)应用 无刷电机 ...
购买FDMS86163P - ONSEMI - 功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 50 A, 0.0178 ohm, Power 56, 表面安装。e络盟-电子元器件分销商_Premier Farnell 专属优惠、当天发货、快速交付、海量库存、数据手册和技术支持。
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类型 分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET- 型号 FDMS86163P 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准...