FDMS86163P MOSFET场效应管 ON/安美森 INDINEON英飞凌 优势代理渠道 FDMS86163P 15000 ON/安美森 QFN8 2020+ ￥14.2500元10~99 个 ￥12.3500元100~999 个 ￥10.7350元>=1000 个 深圳市波光电子有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 FDMS86163P 场效应管 ON/安森美 封装21+ 批次PQFN-8 ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-56-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 25 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V Qg-栅极电荷: 42 nC 最小...
品牌: onsemi 数量: 2000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-56-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压...
MMBT5087LT1G分立半导体产品 晶体管 双极(BJT) 单双极晶体管 价格面议 RFD14N05LSM9A分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET 专业设备厂家 ¥ 1.00 RFD14N05LSM9A分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET 单 芯球通 ¥ 1.00 MC100EPT21DTR2G集成电路(IC) 逻辑 转换器,电平移位器 生产厂家 ¥ 1.00 1N5341BRLG分立...
FDMS86163P 概述 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-100V,-50A,22mΩ 功率场效应晶体管 FDMS86163P 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 Reach Compliance Code: not_compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 Factory Lead Time: 26 weeks 风险等级: ...
MOSFETsONFDMS86163P 数据: 配置: 单路 阈值电压 : 4V 晶体管类型 : P沟道 功率耗散 : 2.5W,104W 充电电量 : 42nC 栅极源极击穿电压 : ±25V 击穿电压 : 100V 极性: P-沟道 元件生命周期 : Active 引脚数 : 8Pin 高度: 1.10mm 长x宽/尺寸 : 4.90 x 5.80mm 原产国家 : America 原始制造商...
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品牌名称Leiditech(雷卯电子) 商品型号 FDMS86163P 商品编号 C3647072 商品封装 DFN-8(4.9x5.7) 包装方式 编带 商品毛重 0.16克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)50A ...
在淘宝,您不仅能发现原装FDMS86163P正品(MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN)的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于原装FDMS86163P正品(MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN)的信息,请来淘宝深入了解吧!
场效应管(MOSFET) FDMS86163P PQFN-8(4.9x5.8) 库存: 98(起订量1,增量1) 批次: 22+ 数量: X 8.73 按整: 圆盘(1圆盘有3000个) 合计: ￥8.73 梯度 内地(含税) 香港 1+ ￥8.73 -- 产品参数 产品手册 常见问题 产品参数 FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物) ...