在电容区工作时,体二极管在MOSFET开关期间执行反向恢复操作。 当系统在电容区工作时,MOSFET会面临极大的潜在失效风险。事实上,如图6中的绿色圆圈所示,寄生体二极管的反向恢复时间变得非常重要(FR-MOS)。 图6 根据这一点,在负载由低变高的过程中(图7),驱动电路应强制MOSFET进入ZVS和正关断电流区。如果无法保证,MOSFE...
晶体管类型 功率MOSFET 批号 新年份 工作温度 -20C+80C 产品状态 在售 输入电容(Ciss@Vds) 6904 pF @ 25 V 产品种类 分立半导体 包装 散装\/整包 功率(Pd) 104W(Tc) 导通电阻 1.25 毫欧 @ 123A,10V 最小包装量 1 漏源电压(Vdss) 40 V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4.5V,10V 可售卖...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TO-252-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 40 V Id-连续漏极电流 119 A Rds On-漏源导通电阻 5.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 4 V Qg-栅极电荷 89...
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高压栅极驱动电路和两个快速恢复MOSFET(FRFET) 初级端调节 (PSR) 脉宽调制 (PWM) 控制器FAN100/FSEZ1016,在高度集成的封装内,这些控制器采用内置专有TRUE CURRENT™技术和严格的恒压 (CV) 范围,实现最精确的恒流 (CC) 控制,而无需使用次级端反馈电路。
AUIRFR5410功率MOSFET,英飞凌单片机MCU价格/报价,SAK-TC212L-8F133N AC 系统优势多样化的锁步架构减少了ASIL-D系统的开发工作量高度集成降低了复杂性并显著节约了成本用于快速测量的Delta-sigma模数转换器创新的单电源概念实现了同类佳的功耗和外部电源的成本节约性
ON/安森美 场效应管 FCP104N60F MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, FRFET , 600 V, 37 A, 104 m , TO-220 更新时间:2024年07月01日 数智集采,工业好物狂欢趴!填写信息即可参与抽奖哦! 价格 ￥1.00 ￥0.80 起订量 100个起批 1000个起批 货源所属商家已经过真实性核验2人想买 ...
类型 晶体管MOSFET 型号 1 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的...
品牌/商标IR型号/规格IRFRC20PBF - MOSFET, N, 600V, 2A, D-PAK 批号08+封装D-PAK 营销方式库存产品性质热销 类型通信IC Description MOSFET, N, 600V, 2A, D-PAK Transistor Polarity:N Max Voltage Vds:600V On State Resistance:4.4ohm Power Dissipation:42W ...
MOSFET – N-Channel, UniFETt, FRFET) 500 V, 45 A, 120 mW FDH45N50F Description UniFET MOSFET is onsemi's high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on−state resistance, and to provide better switching performance and higher...