F3L75R07W2E3_B11 Infineon (英飞凌) IGBT晶体管 IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体...
F3L75R07W2E3_B11产品信息: EasyPACK2B650V 75A 三级相位支路IGBT模块,采用第三代 TRENCHSTOP IGBT、第三代发射极控制二极管、NTC 和 PressFIT 压接技术。 特征描述 阻断电压能力提高,650 V 低电感设计 低开关损耗 低V(CEsat) 低热阻Al(2)O(3)基板 ...
北京健科芯坤科技有限公司主要致力于“英飞凌IGBT模块(F3L75R07W2E3_B11) ”的生产销售。多年的“英飞凌IGBT模块(F3L75R07W2E3_B11) ”生产与销售的经验,与各行业新老用户建立了稳定的合作关系,我公司经营的产品名称深受广大用户信赖。欢迎来电咨询或前来选购。 联系
F3L75R07W2E3-B11 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 零件包装代码: MODULE 包装说明: FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14 针数: 27 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 风险等级: 5.66 外壳连接: ISOLATED 最大集电极电流 (IC): 95 A 集电极-发射极最大电压: 650 ...
F3L75R07W2E3_B11650 V 75 A 三电平 IGBT模块 EasyPACK™2B650V 75A 三级相位支路IGBT模块,采用第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、第三代发射极控制二极管、NTC 和 PressFIT 压接技术。 特征描述 阻断电压能力提高,650 V 低电感设计 低开关损耗 低VCEsat ...
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F3L75R07W2E3B11BOMA1 制造厂商:英飞凌(Infineon) 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块 技术参数:IGBT MODULE 650V 95A 250W (专注销售英飞凌电子元器件,承诺原装!现货当天发货!) (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购) 点击下图下载技术文档 ...
F4-30R06W1E3 Place of Origin Germany Brand Name Origin Voltage 1700V Current 450A Series FS Condition Original 100% Warranty 180 Days PAYMENT Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance Shipping by DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post LEAD TIME 0-3 Days Packaging Standard Exportation ...
F3L75R07W2E3_B11 Type Transistor Brand Name original Package Type please consult Other attributes Mounting Type standard Description Transistor Place of Origin United States Package / Case please consult D/C NEW Application Transistor Brand please consult Operating Temperature 200 Mounting Type please...