它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);...
⑤非平衡载流子?? 掌握非平衡载流子的注入与复合、非平衡载流子的寿命、准费米能级、复合理论、陷阱效应、载流子的扩散运动、爱因斯坦关系。 ⑥p-n结??? ??? 理解p-n结及能带图、p-n结的电流电压特性、p-n结电容、p-n结击穿、p-n结隧道效应。 ⑦金属和半导体的接触 熟练掌握属和半导体接触的整流理论,理解...
2.PN结的单向导电性 所有的半导体器件都是由一个或者多个PN结组合而成的,深刻理解PN结的单向导电性的特点是本章的重点。 3.二极管的参数 二极管的参数中,有表示极限的参数,有表示优劣的参数,同时有直流参数,又有交流参数,有建立在时间积累效应基础上的电流参数,还有建立在雪崩效应和隧道效应基础上的瞬时电压参数,正...
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下)...
本征半导体：n=p=ni 电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位 3.半导体的能带(价带、导带和带隙)原子能级能带 量子态和能级 固体的能带结构 半导体...
因为这时在它们的交界面上形成了一个所谓P—N结的结构,单向导电现象就发生在这一薄薄的P—N结中。P—N结是晶体管的基础,它是由扩散形成的。 我们知道,P型半导体内空穴是多数载流子,即空穴的浓度大;而N型半导体内电子是多数载流予,电子的浓度大。二者接触之后,由于在P型区和N型区内电子浓度不同,N型区的...
欧姆接触:是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触。形成欧姆接触的常用方法有两种:一是选择适当的功函数的金属与半导体接触构成反阻挡层,即形成多子的势阱;二是金属与重掺杂n型半导体通过隧道效应产生隧穿电流。 作图分析题(画出中等掺杂的Si的电阻率p随温度T的变化关系图) AB:(低温弱电离)本证激发可忽...
ppb——半导体纯——≥99.999999999%——≥9N～14N 3、半导体的导类型：n型和p型 ••••••在半导体中电流的载体称为载流子，带负电荷的载流子称为n型载流子，n型载流子是电子；带正负电荷的载流子称为p型载流子，p型载流子是空穴；电子浓度大于空穴浓度的半导体称为n型半导体，电子多数载流子（简称...
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。 发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电...
⑥p-n结 理解p-n结及能带图、p-n结的电流电压特性、p-n结电容、p-n结击穿、p-n结隧道效应。 ⑦金属和半导体的接触 熟练掌握属和半导体接触的整流理论,理解少数载流子的注入、欧姆接触。 以上内容来源:上海电力大学研究生院。 最后,关于2023上海电力大学F005半导体物理考研复试大纲的内容,小编就给大家简单介绍到...