场发射特性也称为Fowler-Nordheim隧道效应，低维材料中的电子在外加电场作用下穿过势垒的过程。在金属半导体异质结和重参杂半导体中，这种量子隧穿效应起着重要的作用。http://xd12srv1.nsstc.nasa.gov/ssl/PAD/sppb/dusty/papers/8thwrkshpventurini.pdf ...
6) fluorinated tunneling-oxide F化隧穿氧化层 补充资料:隧穿效应 分子式:CAS号:性质:见隧道效应。 说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。参考词条F-K模型 F-P模型 P-F模型 f-模型 M-F模型 0-F模型 F-O模型 M-F 模型 ©2011 dictall.com...
8.隧道效应:是指在经济高速发展的初期阶段,收入差距会快速拉大,但整个社会可能对此持相当宽容的态度,因为大部分人预期在不久的将来自身也能从经济发展中获益。 9.口红效应:是一个很有趣的经济现象。当经济不景气时,口红作为...
计算了沿IRC运动与垂直于IRC简正振动之间的耦合常数(BK,F),各振动模式对应的频率(ωK),使用统一的半经典徽扰和无限级突然(SCP-IOS)近似理论计算了在一定能量下产物的振动分配.结果表明,在过渡态后,耦合常数(BK,F)的大小强烈地影响产物的振动态分布,另外用传统过渡态、变分过渡态理论及相关的隧道效应校正计算了...
扫描隧道显微镜 (STM) 原理:是利用量子理论中的隧道效应。将原子线度的极细探针和被研究物质的表面作为两个电极,当样品与针尖的距离非常接近时(通常小于1nm),在外加电场的作用下,电子会穿过两个电极之间的势垒流向另一电极。这...
金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触金属和重掺杂的半导体接触,使得半导体一侧的势垒很薄,电子的输运主要以隧道效应为主,形成欧姆接触金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触 相关知识点: 试题来源: 解析 金属和重掺杂的半导体...
半导体物理- p-n结电容、击穿、隧道效应
图中Vmax=|Δ2-Δ1|/e,Vmax=(Δ1 Δ2)/e,在这两者之间是负阻区,而V≥Vmax时,隧道电流迅速上升并接近N-I-N的情景。由负电阻特性和电流的极大和极小可测定Δ1和Δ2。但在T=0K时,因没有热激发准粒子,所以只有当V≥(Δ1 Δ1)/e时才发生准粒子隧道效应。对S-I-S隧道结,Δ1=Δ2,其单电子隧道...
2.扫描隧道显微镜(STM)是根据量子力学原理中的隧道效应而设计成的,当原子尺度的探针针尖在不到一个纳米的高度上扫描样品时,在针尖与样品之间加一大小在2mV～2V之间的电压,针尖与样品之间产生隧道效应而有电子逸出,形成隧道电流,电流I随针尖与样品间的距离r的增大而指数减小(如图甲所示),当探针沿物质表面按给定高度...
p-n结及其能带图p-n结伏安特性p-n结电容p-n结击穿p-n结隧道效应 1 同一种半导体材料n、p型样品接触 p-n结 理想p-n结的J-V曲线 电流电压特性电容效应击穿特性 意义 晶体管、集成电路的心脏 2 p-n结定义：p型半导体和n型半导体结合的交界面。突变结：p、n区杂质均匀分布，两侧杂质类型及浓度突然变化（...