场发射特性也称为Fowler-Nordheim隧道效应，低维材料中的电子在外加电场作用下穿过势垒的过程。在金属半导体异质结和重参杂半导体中，这种量子隧穿效应起着重要的作用。http://xd12srv1.nsstc.nasa.gov/ssl/PAD/sppb/dusty/papers/8thwrkshpventurini.pdf ...
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。4) F-N tunneling current F-N隧穿电流5) tunneling model 隧穿模型6) fluorinated tunneling-oxide F化隧穿氧化层补充资料:隧穿效应 分子式:CAS号:性质:见隧道效应。
计算了沿IRC运动与垂直于IRC简正振动之间的耦合常数(BK,F),各振动模式对应的频率(ωK),使用统一的半经典徽扰和无限级突然(SCP-IOS)近似理论计算了在一定能量下产物的振动分配.结果表明,在过渡态后,耦合常数(BK,F)的大小强烈地影响产物的振动态分布,另外用传统过渡态、变分过渡态理论及相关的隧道效应校正计算了...
1、p-n结电容的来源势垒电容 扩散电容 p-n结上外加电压的变化，引起电子和空穴在势垒区的“存入”和‘取出“作用，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压变化而变化，和一个电容器的充放电作用相似。称为pn结的势垒电容。正向偏压，存入反向偏压，取出 pn结扩散区的电荷数量随外加电压变化而产生的电容效应。正向偏压...
8.隧道效应:是指在经济高速发展的初期阶段,收入差距会快速拉大,但整个社会可能对此持相当宽容的态度,因为大部分人预期在不久的将来自身也能从经济发展中获益。 9.口红效应:是一个很有趣的经济现象。当经济不景气时,口红作为一种廉价的商品,反而会直线上升。“口红效应”即指在经济不...
半导体物理- p-n结电容、击穿、隧道效应
中文: 摘要超导量子比特利用了超导约瑟夫森隧道结的非线性效应,采用了半导体集成电路的工艺,以其无能耗,大设计加工自由度,易规模化等优点而倍受注目。英文: SU AND GLAUBER COHERENT STATES OF COOPER PAIRS IN SUPERCONDUCTOR——STUDIES OF THE QUANTUM CHARACTERS OF COOPER PAIRS AND JOSEPHSON SUPERFLUIDITY中文: ...
原理:是利用量子理论中的隧道效应。将原子线度的极细探针和被研究物质的表面作为两个电极,当样品与针尖的距离非常接近时(通常小于1nm),在外加电场的作用下,电子会穿过两个电极之间的势垒流向另一电极。这种现象即是隧道效应。 原子力显微镜(AFM) 工作原理:是将探针装在一弹性...
现代科学技术的飞速发展对工程介电材料的种类和性能提出了更高的要求,各种杂化材料应运而生。纳米材料以其量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应所表... 盖凌云 - 哈尔滨理工大学 被引量: 2发表: 2007年 纳米有机硅杂化聚酰亚胺薄膜的结构与电性能研究 调整二苯基二甲氧基硅烷...
半导体p-n结,异质结和异质结构 半导体，本征半导体，非本征半导体 半导体:最外层价电子填满了价带，导带没有电子，有一定带隙宽度。在一定条件下使价带中的电子获得能量跃迁到导带中，在价带中形成空穴，在导带中出现电子时，半导体导电。本征半导体:不掺杂的半导体。此时的费米能级在带隙的中间。价带中的电子靠热激发...