提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。4) F-N tunnel effect F-N隧穿模型5) tunneling current 隧穿电流 1. The external condition could induce the change of piezoelectric field in superlattices and furt...
摘要: 建立了一个直接隧穿电流的经验公式.将氧化层厚度作为可调参数,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流.在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压-电容方法模拟得到的氧化层厚度小,其偏差在0.3nm范围内.关键词: 直接隧穿电流;nMOSFET;超薄 ...
层直接隧穿电流的模型.在这个模型中,空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量近似方式方法,这种方法考虑了价带的混合效应.通过与试验结果的对比,证明了这个模型可以适用CMOS器件中电子和空穴的隧穿电流.还研究了介质层能隙中的色散对隧穿电流的影响.这个模型还可以进一步延伸到对未来高介电常数栅介质...
p-NiO或p-LiNiO/n-GaN异质结共振隧穿二极管及制备方法 本发明公开了一种pNiO或pLiNiO/nGaN异质结共振隧穿二极管,其结构包括:一衬底层;一生长于衬底层上的GaN层;一生长于GaN层上的nGaN层;一生长于nGaN层上的n+GaN层;一生长... 郭慧,王冠,邵鹏飞,... 被引量: 0发表: 2022年 ...