隧穿电流(tunneling current)是指在微电子技术中,当半导体的势垒或者二氧化硅薄膜的厚度,薄至与载流子的德布罗意波(de Broglie波)的波长差不多时,发生载流子的量子隧穿效应的电流。 基本信息 中文名称 隧穿电流 外文名称 tunneling current 适用领域 微电子、电力 ...
隧穿电流是一种非常小的电流,通常发生在MOSFET的氧化层边缘区域。隧穿电流也被称为漏电流,对于功耗和性能的设计有重要影响。 具体来说,隧穿电流会导致以下问题: 1.能量消耗:隧穿电流会导致功耗的增加,因为通过隧穿效应的电子会穿过氧化层而消耗能量。 2.漏电流:隧穿电流的存在会导致漏电流的增加。在MOSFET处于关...
影响隧穿电流的因素包括势垒宽度、势垒高度、电子能量等。 III.MOSFET 隧穿电流的应用 由于隧穿电流在低电压下具有较大的电流值,因此可以应用于低功耗电子设备。此外,通过优化MOSFET 隧穿电流,可以提高高性能计算设备的运算速度和射频识别技术的通信距离。 IV.MOSFET 隧穿电流的研究现状与发展趋势 当前,国内外研究...
MOSFET隧穿电流是指在垂直于半导体表面的方向上,电子通过氧化层绝缘层和半导体层之间的势垒进入半导体内部的电流。当栅极电压足够大时,氧化层绝缘层中的电场强度足以使电子隧穿势垒,形成隧穿电流。 二、MOSFET隧穿电流的计算方法 MOSFET隧穿电流的计算公式为: I_t = 1/2 * n * Cox * (W/L) * (V_gs - ...
在MOSFET 中,当栅极电压为零时,源极和漏极之间仍然存在一定的电流,这种电流被称为隧穿电流。隧穿电流是由于栅极氧化膜中存在微小的缺陷,使得源极和漏极之间的电子能够穿越栅极氧化膜而产生。 三、隧穿电流的影响因素 1.栅极氧化膜的厚度:氧化膜越厚,隧穿电流越大;氧化膜越薄,隧穿电流越小。 2.半导体材料的...
隧穿电流是指在正偏的情况下,电子从源极向漏极发生穿越的现象。这种现象主要是由于MOSFET的量子隧穿效应引起的。在某些情况下,当源漏电压接近绝对值较小的电压时,量子隧穿效应会变得明显。 随着源漏电压的减小,电子会越过势垒并通过绝缘层,跨越场氧化物,最终到达漏极。由于隧穿电流的特殊性质,它在MOSFET的设计和...
隧穿电流指的是电子通过能量垒时,经过隧穿效应从价带跃迁到导带的现象。在MOSFET中,隧穿电流的产生是由于氧化层(dielectric)中存在着几个导带和价带之间的能量垒。当MOSFET的栅电压高于阈值电压时,会形成一个真空层,在这个真空层中存在两个能量垒,即源/漏结和栅结。当源/漏结电压接近零时,如果栅结的功率较大,...
异质结隧穿模型比较了在不同温度下,发生与不发生隧穿效应的渐变异质结的电流密度模拟值。为了便于比较仿真结果,设备构型和所有材料属性均来源于参考文献(特别是 3.3 节)。 这是一个分子束外延生长的 AlxGa1-xAs 渐变异质结,它形成了可阻挡电子的三角形势垒。为了获得与实验数据的最佳拟合,文献作者在运行每个仿真时...
MOSFET隧穿电流是指电子或空穴通过沟道的隧穿效应而产生的电流。隧穿效应是一种量子力学现象,当电子或空穴的能量低于沟道势垒时,它们可以通过隧穿效应克服势垒而穿过沟道。 3. MOSFET隧穿电流的影响因素 MOSFET隧穿电流受到多种因素的影响,包括以下几个方面: 3.1 沟道宽度和长度 沟道的宽度和长度对隧穿电流有显著影...