场发射特性也称为Fowler-Nordheim隧道效应，低维材料中的电子在外加电场作用下穿过势垒的过程。在金属半导体异质结和重参杂半导体中，这种量子隧穿效应起着重要的作用。http://xd12srv1.nsstc.nasa.gov/ssl/PAD/sppb/dusty/papers/8thwrkshpventurini.pdf ...
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。4) F-N tunneling current F-N隧穿电流 5) tunneling model 隧穿模型 6) fluorinated tunneling-oxide F化隧穿氧化层 补充资料:隧穿效应 分子式:CAS号:性质:见隧道效...
扫描隧道显微镜采用了全新的工作原理,它利用一种电子隧道现象,将样品本身作为一具电极,另一个电极是一根非常尖锐的探针,把探针和样品表面相距只有数十埃时,由于隧道效应在探针与样品表面之间就会产生隧穿电流,并保持不变,若表面有微小起伏,哪怕只有原子大小的起伏,也将使穿隧穿电流发生...
背面TopCon结构的隧穿效应示意图如图12所示,1~2nm厚的化学SiO2隧穿氧化层具有很好的选择性,允许多子电子穿越同时阻挡少子空穴的复合,由于采用晶化处理,此钝化结构具有很好的热稳定性。Topcon全接触钝化结合全金属电极的创新结构,克服了PERL电池结构由于局部开孔对载流子传输路径的限制,实现了最短的电流传输路径,将传输电...
本发明公开了一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法,该晶体管包括:半导体衬底;沟道区,形成于所述半导体衬底上;P型源区,形成于所述半导体衬底上,位于所述沟道区的第一侧,所述P型源区具有P+型掺杂;N型漏区,形成于所述半导体衬底上,位于所述沟道区中与所述第一侧相对的第二侧,所述N型漏区具有N+型掺杂;栅极...
随着制造工艺的提升,集成电路的晶体管尺寸从微米级降至纳米级,集成度从几十个晶体管增加到数十亿晶体管。然而,物理尺寸缩小濒临极限带来的量子隧穿效应、原子级加工工艺等问题成为制约摩尔定律延续的重要因素,并且每代工艺之间的性能提升幅度越来越小。 ...
大坍缩建立在真空衰变的基础上,在宇宙演化的末期由于空间膨胀到了极限,极端天体质量越来越大,黑洞横行,量子隧穿效应使奇点突破势能壁垒向零势能空间坍缩,宇宙真空在每个星域发生真空衰变。整个宇宙时空开始收缩并跌落进零势能空间,一切物质和能量均被还原成微观粒子。那么人类如何才能跨过宇宙大坍缩向新的宇宙过度呢?
摘要: 建立了一个直接隧穿电流的经验公式.将氧化层厚度作为可调参数,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流.在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压-电容方法模拟得到的氧化层厚度小,其偏差在0.3nm范围内. 展开 关键词: 直接隧穿电流;nMOSFET;超薄 DOI: 10.3321/j.issn:0253...
半导体物理- p-n结电容、击穿、隧道效应
比如,我们希望硅基做到7纳米,甚至做到7纳米以下,到7纳米就要开始防止漏电,小于7纳米时量子隧穿效应就会越来越明显,容易短路。因此人们开始想起了以前丢失的光计算。光计算和人工智能一样,也是三起三落。 大家可以看看光学计算的发展历史。人工光电计算是1960年产生的,它的算力非常强,然而硅基...