A block-erase operation is performed such that a desired one of the memory blocks is selected for erase, while forcing the remaining memory blocks to remain non-erased. To do this, a first voltage is applied to those of the word lines of the selected block, while applying a second ...
Flash memory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格),而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上,用来保存BIOS程序,便于进行程序的升级。其另外...
• 32 Byte Page (‘D’ version devices) • Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.) • Block Write Protection: - Protect none, 1/4, 1/2 or all of array • Built-In Write Protection: - Power-on/off data protection circuitry - Write enable latch - Write-protect pin ...
erase_count[block_num]++; // 判断是否需要进行均衡操作 if(erase_count[block_num] >= EEPROM_BLOCK_NUM) { // 寻找擦写次数最小的块 uint16_t min_erase_count_block = 0; uint32_t min_erase_count = UINT32_MAX; for(int i=0; i<EEPROM_BLOCK_NUM; i++) { if(erase_count[i] < min_...
• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.) • Block Write Protection: - Protect none, 1/4, 1/2 or all of array • Built-In Write Protection: - Power-on/off data protection circuitry - Write enable latch - Write-protect pin ...
HUAWEI TECHNOLOGIES Co., Ltd.HUAWEI Confidential I2C接口接口EEPROM写操作写操作页写操作(Page Write):以24LC08为例,它的存储结构为:4(block)2568(bit) ,Page Write Buffer大小为16bytes。那么Page Write时,在Control Byte指定Block选择位“B1B0”,在Word Address指定8位地址“A7A6A5 11、A4A3A2A1A0”。那样...
•低功耗 — 串行SPI FLASH器件采用串行接口进行连续数据存取,所以可以达到工作电流:7mA 待机电流:8uA;•工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105;•快速擦除烧录程式 —通过4KByte统一Sector-Erase,32Kbyte或者64Kbyte Block-Erase或者Chip- Erase能力,目前已达到数据擦除:18mS; •成本低,...
• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.) • Block Write Protection: - Protect none, 1/4, 1/2 or all of array • Built-In Write Protection: - Power-on/off data protection circuitry - Write enable latch - Write-protect pin ...
这里的分类标准主要是program与erase的机制的不同。 一:FLASH和E2PROM的区别 1:相同点是两者都能掉电存储数据 2:不同点是 A,FLASH写入时间长,E2PROM写入时间短. B,FLASH擦写次数少(10000次),E2PROM次数多(1000000次) 二:单片机的数据存储器不能用FLASH,因为: 1:FLASH有一定的擦除、写入次数,一般的单片机的...
EEPROM可以单个存储单元随时读写, 而Flash需要以Sector/Page/Block形式进行擦除后才能写. 对于追求简单,安全的软件结构的嵌入式软件工程, 最好是外扩一个EEPROM. 条件不允许的时候, 只得通过Flash来模拟EEPROM. 除了最重要的区别之外, 还有如下不同之处: Flash的erase次数一般少于EEPROM,所以要考虑分开不同的区间进...