DMN3200U-7DMN3300U-7 DIODES/美台 原装SOT-23封装等一系列 深圳市承晓电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥1.00 DMN3200U-7全新原装DIODES美台欢迎询价 深圳市芯鸿发电子科技有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.60 ...
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唯样编号 B-DMN3200U-7 供货 富昌电子 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 ds31188.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 ...
型号 DMN3200U-7 技术参数 品牌: DIODES 型号: DMN3200U-7 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 8.5V 长度: 5mm 宽度: 7.7mm 高度: 2.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能...
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DMN3200U-7 Descripción MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Plazo estándar del fabricante 8 semanas Referencia del cliente Descripción detallada Canal N Montaje en superficie 30 V 2.2 A (Ta) 650mW (Ta) SOT-23-3 Hoja de datos Hoja de datos Modelos EDA/CAD DMN3200U-7 Modelos ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 DMN3200U-7-VB 商品编号 C20417533 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.042克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)6.5A ...
DMN3200U-7由DIODES设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过futureverical等渠道进行代购。 DMN3200U-7 价格参考￥ 0.921 。 DIODES DMN3200U-7 封装/规格: SOT-23, 表面贴装型 N 通道 30 V 2.2A(Ta) 650mW(Ta) SOT-23-3。你可以下载 DMN3200U-7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料...
DMN3200U-7概述 产品概述:DMN3200U-7 N通道MOSFET DMN3200U-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由知名品牌 DIODES (美台) 生产,专为多种应用场合设计。其封装形式为 SOT-23,占用空间小,适合于需要紧凑设计的电路例如便携式设备、通信产品和消费电子。 基本参数与特性 电气特性: 导通...
型号 DMN3200U-7 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...